ferney

TRANSISTOR BIPOLAR PNP

• El BJT PNP está formado también por un cristal semiconductor con tres regiones definidas por el tipo de impurezas.
• Las tensionesde continua aplicadas son opuestas a las del NPN.
• Las corrientes fluyen en sentido contrario al del NPN.
• Por lo demás, este dispositivo es similar al NPN.• El BJT PNP desde el emisor emite huecos, controlada por la base. El exceso
TRANSISTOR BIPOLAR PNP

• El BJT PNP está formado también por un cristalsemiconductor con tres regiones definidas por el tipo de impurezas.
• Las tensiones de continua aplicadas son opuestas a las del NPN.
• Las corrientes fluyen ensentido contrario al del NPN.
• Por lo demás, este dispositivo es similar al NPN.
• El BJT PNP desde el emisor emite huecos, controlada por la base. El excesoTRANSISTOR BIPOLAR PNP

• El BJT PNP está formado también por un cristal semiconductor con tres regiones definidas por el tipo de impurezas.
• Las tensiones decontinua aplicadas son opuestas a las del NPN.
• Las corrientes fluyen en sentido contrario al del NPN.
• Por lo demás, este dispositivo es similar al NPN.
•El BJT PNP desde el emisor emite huecos, controlada por la base. El exceso
TRANSISTOR BIPOLAR PNP

• El BJT PNP está formado también por un cristalsemiconductor con tres regiones definidas por el tipo de impurezas.
• Las tensiones de continua aplicadas son opuestas a las del NPN.
• Las corrientes fluyen en sentidocontrario al del NPN.
• Por lo demás, este dispositivo es similar al NPN.
• El BJT PNP desde el emisor emite huecos, controlada por la base. El exceso