Fisica electronica

 Deposición de vapor mediante procesos químicos organometálicos
La epitaxia metalorgánica en fase de vapor (del inglés, Metalorganic vapour phase epitaxy- MOVPE) es un método de deposición química vaporosa con el que se produce un crecimiento epitaxial de ciertos materiales, en concreto de los compuestos semiconductores originados a raíz de una reacción en la superficie decompuestos orgánicos y metalorgánicos, y también de hidruros de metal que poseen una serie de elementos químicos concretos. Por ejemplo, el fosfuro de indio podría desarrollarse en un reactor sobre un sustrato introduciendo trimetilindio ((CH3)3In) y fosfina (PH3). Otros nombres con los que se define este proceso son: epitaxia organometálica en fase de vapor (OMVPE), deposición químicametalorgánica de vapor (MOCVD) y deposición química organometálica en fase de vapor (OMCVD). La formación de la capa epitaxial se produce por una pirólisis de los productos químicos constitutivos de la superficie del sustrato. A diferencia de la epitaxia de radiación molecular (MBE), el crecimiento de cristales se debe a una reacción química y no a una deposición física. Además, este proceso no se desarrollaen vacío, sino en una atmósfera de gas a presiones moderadas (de 2 a 100 kPa). Se prefiere emplear esta técnica para la elaboración de dispositivos que incorporen aleaciones metaestables termodinámicamente. Así, se ha convertido en el procedimiento elegido a la hora de fabricar láser de diodo, células solares, y LEDs.
Componentes del reactor
Un reactor es una cámara elaborada con un tipo dematerial que no reacciona con los productos químicos con los que se está trabajando en el momento de su uso y que, además, soporta elevadas temperaturas. Esta cámara se compone principalmente de paredes reactoras, un revestimiento, un susceptor, y unidades de inyección de gas y de control de temperatura. Generalmente, las paredes reactoras están hechas de acero inoxidable o cuarzo. Para evitar unrecalentamiento de éstas, debe haber en los canales interiores de las paredes un flujo constante de agua fría. A menudo, se utilizan como revestimientos entre la pared reactora y el susceptor minerales como el cuarzo o materiales de cerámica, y se asienta el susceptor en un sustrato cuya temperatura va a estar controlada. El susceptor está formado por un material resistente a los componentesmetalorgánicos empleados, como es el grafito entre otros. Para el crecimiento de nitritos y materiales relativos, se requiere un revestimiento especial en el susceptor de grafito que evite que se produzca una corrosión a causa del gas amoníaco (NH3).
Entrada de gases y sistema interruptor. El gas es introducido a través de unos mecanismos denominados 'bubblers' en los cuales un gas portador (por lo generalnitrógeno o hidrógeno) es conducido en forma de burbuja hacia el líquido metalorgánico, que recoge vapor metalorgánico y lo transporta hasta el reactor. La cantidad de vapor metalorgánico transportado depende de la proporción de flujo de gas portador y de la temperatura a la que se encuentre el 'burbujeador'; normalmente la temperatura suele controlarse automáticamente y con gran precisión a travésdel empleo de un sistema de control de vapor de tipo Piezocon. No obstante, se debe ser cuidadoso cuando se trata de vapores saturados.
Sistema de control de presión.
Sistema de combustión y limpieza de gases. Los productos tóxicos de desecho deben convertirse a desechos líquidos para que puedan ser recogidos o, preferiblemente, reciclados. Idealmente, estos procedimientos están destinados areducir al mínimo la producción de productos de desecho.















Pasos Generales de Fabricación de un Circuito Integrado formado por Silicio como componente activo
Los pasos de fabricación básica se pueden realizar muchas veces, en diferentes combinaciones y en diferentes condiciones de procedimiento durante un turno de fabricación completo.
Preparación de la oblea
El material inicial para...