Fisica electronica

FISICA ELECTRONICA

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Actividad 10 TRABAJO COLABORATIVO No 2

CURSO DE FISICA ELECTRONICA CODIGO: 100414_12

PRESENTADOR POR:

MILENA VELASQUEZ FRANCO CODIGO: 1.088.243.810 Cead eje cafetero Pereira

PRSENTADO A:

Andrés Felipe Tarazona Tutor Virtual
24 de octubre de 2010

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA INGENIERIA EN SISTEMAS 2010

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OBJETIVOS

Conocer cada uno de los materiales y procedimientos para hacer un circuito. Saber identificar las diferentes características y diferencias que existen entre lo que son los conductores y semiconductores. Aprender a conocer los diferentes de Diodos que existen. Conocer el software Workbench para allí realizar de manera mucho más fácil circuitos.

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FASE 1 Solucione los siguientes cuestionamientos relacionados con los Semiconductores. Por favor consulte otras fuentes adicionales al Módulo del curso de Física Electrónica. 1. Enuncie las principales características y diferencias existentes entre un material aislante, un conductor y un semiconductor. De algunosejemplos de cada grupo. AISLANTE
  De 4 a 8 Electrones de valencia. Son átomos estables. Son el caucho, los plásticos, el papel, la resina, la cerámica y el vidrio.  

CONDUCTOR
De 1 a 2 Electrones de valencia.

SEMICONDUCTOR  
Tiene 4 átomos de valencia. Los elementos de Germanio y Silicio. Los átomos se enlazan entre ellos. De acuerdo a su pureza es: o Puro – Intrínsecos. oImpuros-Extrínsecos.





Son elementos como oro, la plata y el  cobre. Por lo general son  elementos sólidos o metálicos.

2. Cómo se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P? Qué cualidades o características adquiere este material con respecto al semiconductor puro? COMO OBTENER SEPICONDUCTOR TIPO N y P: TIPO N TIPO P  Se construye con Silicio y  Se construye con Silicio y Germanio.Germanio.  Se adiciono átomos de arsénico o  Se adicionan material (indio, Boro, antimonio y/o fosforo de impureza Galio) de impurezas con 3 con 5 electrones de valencia. electrones de valencia.  Cuando se forman los enlaces sobra  Hay ausencia de electrones, lo que un electrón, porque hay exceso de se denominan huecos, quedando en electrones. los enlaces covalentes.  Los huecos permiten que loselectrones que sobran en el material N, pasen fácilmente al material P.
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3. Consulte sobre otros tipos de diodos, diferentes al rectificador, el LED, el zéner y el fotodiodo.

Diodo BARITT
(Del inglés: BARrier Injected Transit Time) Diodo semejante al diodo IMPATT donde los portadores de carga llamados aatravesar la región de deplexión no provienen de una avalancha sino que son engendrados por inyección de portadores minoritarios en uniones polarizadas en el sentido de la conducción.

Diodo de avalancha
Diodo de rectificación en el que, mediante una técnica apropiada, se reparte la ruptura inversa, debida al fenómeno de avalancha, en todo el volumen de la unión. El diodo soporta, así, grandescorrientes en conducción inversa sin destruirse.

Diodo de capacidad variable (VARACTOR o VARICAP)
Diodo semiconductor con polarización inversa cuya capacidad entre los terminales disminuye en función de la tensión inversa aplicada entre sus extremos.

Diodo de conmutación
Diodo semiconductor diseñado para presentar una transición rápida entre el estado de conducción y el estado de bloqueo, y a lainversa.

Diodo semiconductor.
Diodo que permite el paso de la corriente de su zona p, rica en huecos, a su zona n, rica en electrones.

Diodo de señal
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Diodo semiconductor empleado para la detección o el tratamiento de una señal eléctrica de baja potencia.

Diodo de unión
Diodo formado por la unión de un material semiconductor de tipo n y otro semiconductor de...