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Rectificador controlado de silicio (SCR)







Los rectificadores controlados de silicio SCR se emplea como dispositivo de control.
El rectificador controlado de silicio SCR, es un semiconductor que presenta dos estados estables: en uno conduce, y en otro está en corte (bloqueo directo, bloqueo inverso y conducción directa).
El objetivo del rectificador controlado de silicio SCR esretardar la entrada en conducción del mismo, ya que como se sabe, un rectificador controlado de silicio SCR se hace conductor no sólo cuando la tensión en sus bornes se hace positiva (tensión de ánodo mayor que tensión de cátodo), sino cuando siendo esta tensión positiva, se envía un impulso de cebado a puerta.
El parámetro principal de los rectificadores controlados es el ángulo de retardo, a.Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa corriente sólo durante los semiciclos positivos de la fuente de ca. El semiciclo positivo es el semiciclo en que el ánodo del SCR es más positivo que el cátodo. Esto significa que el SCR no puede estar encendido más de la mitad del tiempo. Durante la otra mitad del ciclo, la polaridad de la fuente es negativa, y esta polaridadnegativa hace que el SCR tenga polarizaci6n inversa, evitando el paso de cualquier corriente a la carga.
Rectificador controlado de silicio  SCR (silicon controlled rectifier)
Es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn Está formado por tres terminales, llamados Ánodo, Cátodo y Puerta. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por elterminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es único), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.
El SCR se asemeja a un diodo rectificador pero si el ánodo es positivo en relación al cátodo no circulará la corriente hasta que una corriente positiva se inyecte en la puerta. Luego el diodo se enciende y no se apagará hasta que no se remueva la tensiónen el ánodo-cátodo, de allí el nombre rectificador controlado.
Funcionamiento básico del SCR
El siguiente gráfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su funcionamiento.
Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1.
IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector deQ1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa más corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1.
Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.
Características de control del SCR
Corresponden a la región puerta-cátodo y determinan las propiedades del circuito de mando que responde mejor a lascondiciones de disparo. Los fabricantes definen las siguientes  características:-Tensión directa máx. ....................................................................: VGFM
- Tensión inversa máx. ...................................................................: VGRM
- Corriente máxima..........................................................................: IGM
- Potenciamáxima...........................................................................: PGM
- Potencia media..............................................................................: PGAV
- Tensión puerta-cátodo para el encendido.......................................VGT
- Tensión residual máxima que no enciende ningún elemento......... VGNT
- Corriente de puerta para elencendido...........................................: IGT
- Corriente residual máxima que no enciende ningún elemento.......: IGNT
Determinan la naturaleza del circuito de mando que mejor responde a las condiciones de disparo.
Para la región puerta- cátodo los fabricantes definen entre otras las siguientes caracteristicas
Vgfm, Vgrm, Igm, Pgm, Pgav, Vgt, Vgnt, Igt, Ignt.
Entre los anteriores destacan:
Vgt e Igt que determinan las...