Fotocorriente

La fotocorriente IP (llamada también corriente fotónica por originarse en los
fotones incidentes) es, en el caso de que la zona p+ sea mucho más delgada que
la profundidad de penetración 1/αλ delas radiaciones:
. 1

exp
αλ
. w/1 αλ
. L
Donde:
• αλ
: coeficiente de absorción, depende de la longitud de onda de la radiación
incidente.
• L: longitud de difusión de huecos enla zona N.
• : flujo de fotones.
• : ancho de la zona de deplexión.


Si los fotones incidentes tiene una energía E=h.f mayor o igual que Eg (energía de
la banda prohibida), el fotónpenetra en el semiconductor (SC) generando un par
electrón-hueco. El campo de la zona de carga espacial arrastra a los portadores
como minoritarios, o sea a los huecos los devuelve hacia la zona p y alos
electrones los retorna hacia la zona N. En este sentido, los fotones que penetran
en el fotodiodo hasta la zona de deplexión generan pares electrón-hueco que son
inmediatamente separados porel campo eléctrico. Aumentando así la
concentración de huecos en la zona P y la de electrones en la zona N. Todo esto
es como si disminuyese la barrera de potencial de equilibrio.
Si hacemos uncortocircuito exterior circulará una corriente originada por este
efecto (fotocorriente).

Si al fotodiodo bajo condiciones de iluminación lo dejamos en circuito abierto,
aparece en bornes unpotencial, que es el potencial fotovoltaico.
Los portadores que son generados fuera de la zona de deplexión, deben primero
difundirse hacia la juntura deben primero difundirse hacia la juntura paraluego ser
arrastrados por el campo. Si se recombinan antes son perdidos por la
fotocorriente.
Así, la fotocorriente consta de un término debido al campo eléctrico de la región de
cargaespacial y a una corriente de difusión de las zonas neutras.
La fotocorriente es proporcional a la Intensidad incidente.
Montaje Experimental para, estudiar cuantitativamente el Efecto Fotoeléctrico....