GUÍA DE CIRCUITOS INTEGRADOS

Guía:
1- A que se denomina CI
2- Como se clasifican los IC según su tecnología del fabricante
3- Cuál es la tecnología que se utiliza para fabricar microprocesadores
4- Como se clasifican los CI por su aplicación tecnológica.
5- Como se clasifican los CI según su grado de integración
6- Realice una síntesis del funcionamiento del transistor unipolar integrado
7- Diodo integrado – Realiceuna síntesis del modo de fabricación
8- IDEM de 7 – Resistencia integrada
9- Como se realizan conexiones entre componentes integrados
10- Como se obtiene los CI de película fina
11- Como se obtiene los CI de película gruesa
12- Menciones los familiares de los CI digitales
13- Defina familia de los CMOS
14- Características técnicas de los CI digitales
15- Desarrolle potenciadisipada y tiempo de propagación
16- Cuáles son las formas de capsulas más usuales del CI
17- Como designar de acuerdo al código de designación un CI (Nomenclatura)

Respuestas:
1- IC se denomina a un circuito integrado, prácticamente todos los aparatos, bien solos, bien en compañía de circuitos discretos.

2- Los IC según su tecnología de fabricación se dividen en dos grandes grupos:Circuitos integrados monolíticos (un solo bloque).
Circuito integrados híbridos.

3- La tecnología que se utiliza para la fabricación de los microprocesadores es la tecnología unipolar (NMOS, PMOS, CMOS).

4- Los IC se clasifican por su aplicación tecnológica en dos grandes grupos:
Circuitos integrados analógicos.
Son aquellos cuya magnitud de salida varia en el tiempo de acuerdo con la señalaplicada en su entrada, es decir, la señal de salida puede tener infinidad de valores intermedios entre un mínimo y un máximo.
Circuitos integrados digitales.
Son más fáciles de fabricar ya que necesitan valores de capacidad más pequeñas que los analógicos. Funcionan bajo la condición de todo o nada, es decir, la señal de salida puede tener un valor mínimo (estado 0) o un valor máximo (estado 1),pero nunca en un valor intermedio entre ambos.

5- Los IC se denominan según su grado de integración de la siguiente manera:
SSI (Small Scale Integration).
MSI (Medium Scale Integration).
LSI (Large Scale Integration).
VSLI (Very Large Scale Integration).

6- Transistor Unipolar: está constituido por dos transistores: uno NMOS y otro PMOS, ambos de enriquecimiento.
Para el transistorNMOS se difunden impurezas donadoras que constituyen los cristales N de surtidor y drenado.
Aunque la densidad de integración es menor con transistores CMOS que con los bipolares, puestos que se necesitan dos transistores en lugar de uno, los circuitos integrados CMOS son muy utilizados ya que ofrecen las siguientes ventajas:
Menor consumo de energía.
Los acoplamientos entre transistores sondirectos.
Una sola tensión de alimentación comprendida entre 3 y 18 V.
Impedancia de entrada muy elevada y, por lo tanto, corriente de entrada muy pequeña.

7- Diodos Integrados:
Se integran de dos formas posibles: utilizando dos capaz semiconductoras P y N superpuestas o conectadas transistores en la bebida forma. Si se utiliza el diodo colector-base, la tensión de ruptura será mayor que si seutiliza el diodo formado por el emisor y la base (mínimo 12 V).

8- Resistencia Integrada: Se obtienen mediante pistas de material semiconductoras. La resistencia consiste en una zona P larga y estrecha dentro de una zona N. estas dos zonas forman a su vez una unión PN distribuida a lo largo de la resistencia.

9- Las conexiones entre los componentes integrados se realizan mediantemetalizaciones obtenidas por evaporación de aluminio en el vacío. Esta metalización se efectúan sobre la capa de oxido de silicio que protege la superficie de los cristales P o N.



10- Los IC de película fina se obtiene por evaporación y deposición, en vacio, de metales y dieléctricos sobre una superficie lisa de cerámica o de vidrio, mediante el aumento de temperatura por encima del punto de...