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´ ´ EL3004-Circutios Electronicos Analogicos
F. P. Mena
´ Departamento de Ingenier´a Electrica (DIE) ı Universidad de Chile

7 de septiembre de 2012

M. D´az & F. P. Mena (DIE, U. Chile) ı

´ ´ EL3004-Circuitos Electronicos Analogicos

7 de septiembre de 2012

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Repaso Clase #5

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FET de Juntura (JFET)

3

Metal-Oxide-Semiconductor FET (MOSFET) ´ DescripcionM. D´az & F. P. Mena (DIE, U. Chile) ı

´ ´ EL3004-Circuitos Electronicos Analogicos

7 de septiembre de 2012

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Repaso Clase #5

Resumen Clase #5

´ Estructura y operacion del transistor BJT
Caracter´sticas F´sicas ı ı ´ Region activa Flujos de huecos y electrones Caracter´sticas I-V ı Ganancia de corriente

M. D´az & F. P. Mena (DIE, U. Chile) ı

´ ´EL3004-Circuitos Electronicos Analogicos

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FET de Juntura (JFET)

JFET de canal n
´ Descripcion

S Source Gate 1

G1 D

���� Gate 2

Drain

G2

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´ ´ EL3004-Circuitos Electronicos Analogicos

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FET de Juntura (JFET)

JFET de canal n
´ Descripcion

S Source Gate 1

G1 D���� Gate 2

Drain

G2
En general tiene cuatro terminales.

M. D´az & F. P. Mena (DIE, U. Chile) ı

´ ´ EL3004-Circuitos Electronicos Analogicos

7 de septiembre de 2012

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FET de Juntura (JFET)

JFET de canal n
´ Descripcion

S Source Gate 1

G1 D

���� Gate 2

Drain

G2
En general tiene cuatro terminales. ´ La region n se dopa ligeramente mientras que lap altamente (zona de agotamiento mayoritariamente en el semiconductor del tipo n).

M. D´az & F. P. Mena (DIE, U. Chile) ı

´ ´ EL3004-Circuitos Electronicos Analogicos

7 de septiembre de 2012

119 / 130

FET de Juntura (JFET)

JFET de canal n
´ Descripcion

S Source Gate 1

G1 D

���� Gate 2

Drain

G2
En general tiene cuatro terminales. ´ La region n se dopaligeramente mientras que la p altamente (zona de agotamiento mayoritariamente en el semiconductor del tipo n). Usualmente las dos compuertas (gates) se conectan al mismo potencial.

M. D´az & F. P. Mena (DIE, U. Chile) ı

´ ´ EL3004-Circuitos Electronicos Analogicos

7 de septiembre de 2012

119 / 130

FET de Juntura (JFET)

JFET de canal n
´ Descripcion

S Source Gate 1

G1 D

���� Gate2

Drain

G2
En general tiene cuatro terminales. ´ La region n se dopa ligeramente mientras que la p altamente (zona de agotamiento mayoritariamente en el semiconductor del tipo n). Usualmente las dos compuertas (gates) se conectan al mismo potencial. Se establece una corriente en el semiconductor n, ID , cuando se aplica una diferencia de potencial entre fuente (source) y drenaje (drain).M. D´az & F. P. Mena (DIE, U. Chile) ı

´ ´ EL3004-Circuitos Electronicos Analogicos

7 de septiembre de 2012

119 / 130

FET de Juntura (JFET)

JFET de canal n
´ Descripcion

S Source Gate 1

G1 D

���� Gate 2

Drain

G2
En general tiene cuatro terminales. ´ La region n se dopa ligeramente mientras que la p altamente (zona de agotamiento mayoritariamente en elsemiconductor del tipo n). Usualmente las dos compuertas (gates) se conectan al mismo potencial. Se establece una corriente en el semiconductor n, ID , cuando se aplica una diferencia de potencial entre fuente (source) y drenaje (drain). La corriente ID se puede controlar mediante el voltaje aplicado a las ´ compuertas. Es maxima cuando el voltaje en las compuertas es cero.
M. D´az & F. P. Mena (DIE, U.Chile) ı ´ ´ EL3004-Circuitos Electronicos Analogicos 7 de septiembre de 2012 119 / 130

FET de Juntura (JFET)

JFET de canal n
´ ˜ Rango de Operacion Lineal (VDS pequeno).

n S ����

p

G2 2��

��

2��

D

p −����
 +
M. D´az & F. P. Mena (DIE, U. Chile) ı

G1


������ ≈ 0
+

´ ´ EL3004-Circuitos Electronicos Analogicos

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FET...
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