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Páginas: 12 (2786 palabras)
Publicado: 12 de septiembre de 2012
F. P. Mena
´ Departamento de Ingenier´a Electrica (DIE) ı Universidad de Chile
7 de septiembre de 2012
M. D´az & F. P. Mena (DIE, U. Chile) ı
´ ´ EL3004-Circuitos Electronicos Analogicos
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Repaso Clase #5
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FET de Juntura (JFET)
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Metal-Oxide-Semiconductor FET (MOSFET) ´ DescripcionM. D´az & F. P. Mena (DIE, U. Chile) ı
´ ´ EL3004-Circuitos Electronicos Analogicos
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Repaso Clase #5
Resumen Clase #5
´ Estructura y operacion del transistor BJT
Caracter´sticas F´sicas ı ı ´ Region activa Flujos de huecos y electrones Caracter´sticas I-V ı Ganancia de corriente
M. D´az & F. P. Mena (DIE, U. Chile) ı
´ ´EL3004-Circuitos Electronicos Analogicos
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FET de Juntura (JFET)
JFET de canal n
´ Descripcion
S Source Gate 1
G1 D
���� Gate 2
Drain
G2
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´ ´ EL3004-Circuitos Electronicos Analogicos
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FET de Juntura (JFET)
JFET de canal n
´ Descripcion
S Source Gate 1
G1 D���� Gate 2
Drain
G2
En general tiene cuatro terminales.
M. D´az & F. P. Mena (DIE, U. Chile) ı
´ ´ EL3004-Circuitos Electronicos Analogicos
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FET de Juntura (JFET)
JFET de canal n
´ Descripcion
S Source Gate 1
G1 D
���� Gate 2
Drain
G2
En general tiene cuatro terminales. ´ La region n se dopa ligeramente mientras que lap altamente (zona de agotamiento mayoritariamente en el semiconductor del tipo n).
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´ ´ EL3004-Circuitos Electronicos Analogicos
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FET de Juntura (JFET)
JFET de canal n
´ Descripcion
S Source Gate 1
G1 D
���� Gate 2
Drain
G2
En general tiene cuatro terminales. ´ La region n se dopaligeramente mientras que la p altamente (zona de agotamiento mayoritariamente en el semiconductor del tipo n). Usualmente las dos compuertas (gates) se conectan al mismo potencial.
M. D´az & F. P. Mena (DIE, U. Chile) ı
´ ´ EL3004-Circuitos Electronicos Analogicos
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FET de Juntura (JFET)
JFET de canal n
´ Descripcion
S Source Gate 1
G1 D
���� Gate2
Drain
G2
En general tiene cuatro terminales. ´ La region n se dopa ligeramente mientras que la p altamente (zona de agotamiento mayoritariamente en el semiconductor del tipo n). Usualmente las dos compuertas (gates) se conectan al mismo potencial. Se establece una corriente en el semiconductor n, ID , cuando se aplica una diferencia de potencial entre fuente (source) y drenaje (drain).M. D´az & F. P. Mena (DIE, U. Chile) ı
´ ´ EL3004-Circuitos Electronicos Analogicos
7 de septiembre de 2012
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FET de Juntura (JFET)
JFET de canal n
´ Descripcion
S Source Gate 1
G1 D
���� Gate 2
Drain
G2
En general tiene cuatro terminales. ´ La region n se dopa ligeramente mientras que la p altamente (zona de agotamiento mayoritariamente en elsemiconductor del tipo n). Usualmente las dos compuertas (gates) se conectan al mismo potencial. Se establece una corriente en el semiconductor n, ID , cuando se aplica una diferencia de potencial entre fuente (source) y drenaje (drain). La corriente ID se puede controlar mediante el voltaje aplicado a las ´ compuertas. Es maxima cuando el voltaje en las compuertas es cero.
M. D´az & F. P. Mena (DIE, U.Chile) ı ´ ´ EL3004-Circuitos Electronicos Analogicos 7 de septiembre de 2012 119 / 130
FET de Juntura (JFET)
JFET de canal n
´ ˜ Rango de Operacion Lineal (VDS pequeno).
n S ����
p
G2 2��
��
2��
D
p −����
+
M. D´az & F. P. Mena (DIE, U. Chile) ı
G1
������ ≈ 0
+
´ ´ EL3004-Circuitos Electronicos Analogicos
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FET...
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