IGBT

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IGBT
INTRODUCCION
Durante mucho tiempo se busco la forma de obtener un
dispositivo que tuviera una alta impedancia de entrada y
que fuera capaz de manejar altas potencias a altas
velocidades,esto dio lugar a la creación de los Transistores
bipolar de compuerta aislada (IGBT). Los transistores IGBT
han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta
entonces y se describirán másadelante. El mismo se
puede identificar en un circuito con la simbología mostrada
en la figura I.

IGBT
¿Qué es un IGBT?
Componente electrónico diseñado para controlar
principalmente altaspotencias, en su diseño está
compuesto por un transistor bipolar de unión BJT y
transistor de efecto de campo de metal oxido
semiconductor MOSFET.

IGBT
Los IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)constituyen, desde
el punto de vista de su empleo, un híbrido entre los transistores
bipolares y los MOSFET para aprovechar tanto la sencillez ,
como la capacidad para conducir altas corrientes ybaja
resistencia.
La estructura se parece mucho a la de un transistor MOSFET de
potencia donde se utilizan obleas dopadas de Tipo N sobre las
que se deposita una fina capa epitaxial. El IGBT estáconstruido
de forma casi idéntica. La capa epitaxial presenta el mismo
espesor y se dopa igual que en un FET. Sin embargo, existe una
importante diferencia: el material de inicio es una oblea dopadaTipo P en lugar de Tipo N. La unión PN adicional, así creada,
inyecta portadores (huecos) en la región epitaxial Tipo N
reduciendo su resistividad y reduciendo la caída de tensión en
conducción. IGBT
A este proceso se le conoce también por "Modulación
de la Conductividad" y puede contribuir a incrementar
la capacidad de conducción de corriente hasta 10
veces más.
Desde el punto devista económico, los IGBT, al
utilizar el principio de los FET tan sólo para el circuito
de voltaje y no el de potencia, dejando éste en manos
de una estructura bipolar, reducen sustancialmente...
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