Informe de electricidad

Informe de electricidad
Semiconductores











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Tema:
-Semiconductores






















Semiconductores





































Semi Conductores:
-Son aquellos que se comportan como conductores aislantes y uno de ellos son los diodos, que por ello la corriente va enun solo sentido dependiendo de cómo estén dopados.

-Semiconductores Tipo P Y Tipo N
Cuatro de los cinco electrones del átomo de arsénico se unirán a los electrones de los cuatro átomos de silicio vecinos, y el quinto quedará inicialmente libre, sin una posible unión, portador de corriente impurezas que entregan electrones portadores (negativos) se los denomina donadores o del tipo «n».
En unsemiconductor con impurezas del tipo n, no sólo aumenta el número de electrones sino que también la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tenía el semiconductor puro. 
La causa de esta disminución se debe a que una parte de los electrones libres llena algunos de los huecos existentes.
Si al semiconductor puro de silicio se le añade algún tipo de impureza que tenga tres electronesexternos, solo podrá formar tres uniones completas con los átomos de silicio, y la unión incompleta dará lugar a un hueco.
Este tipo de impurezas proporcionan entonces portadores positivos, ya que crean huecos que pueden aceptar electrones; por consiguiente son conocidos con el nombre de aceptores, o impurezas del tipo «p». Al contrario de lo que sucedía antes en el tipo n en un semiconductor conimpurezas de tipo p los portadores que disminuyen son los electrones en comparación, con los que tenía el semiconductor puro.

Polarización Directa E Inversa De La Unión P-N
La conductividad del diodo es diferente según sea el sentido en que se aplique un campo eléctrico externo. Existen dos posibilidades de aplicación de este campo: polarización inversa y polarización directa.

Polarizacióninversa.
Consiste en aplicar a la parte N del diodo una tensión más positiva que a la parte P. De esta forma, el campo eléctrico estará dirigido de la parte N a la parte P y los huecos tenderán a circular en ese sentido
Mientras que los electrones tenderán a circular en sentido contrario. Esto significa que circularían huecos de la parte N (donde son muy minoritarios) a la parte P (donde sonmayoritarios), por lo que esta corriente se ve contrarrestada por una corriente de difusión que tiende a llevar a los huecos de donde son mayoritarios (parte P) hacia donde son minoritarios (Parte N). Por consiguiente, la corriente global de huecos es prácticamente nula. Algo totalmente análogo ocurre con la corriente de electrones, la corriente de arrastre va en sentido contrario a la de difusión,contrarrestándose ambas y produciendo una corriente total Prácticamente nula.
La corriente total es la suma de la de huecos más la de electrones y se denominan Corriente inversa de saturación ( Is ). En la práctica, el valor de esta corriente es muy pequeño (del orden de nA en el Silicio) y depende de la temperatura de forma que aumenta al aumentar Ésta.

Polarización directa.
Que depende deltipo de semiconductor (en el Silicio es aproximadamente de 0,7 V y en el Germanio de 0,2 V).Consiste en aplicar a la parte P del diodo una tensión más positiva que a la parte N. De esta forma, el campo eléctrico estará dirigido de la parte P a la parte N. Esto significa que circularían huecos de la parte P (donde son mayoritarios) a la parte N (donde son minoritarios) por lo que esta corriente tieneel mismo sentido que la corriente de difusión. De esta forma, la corriente total de huecos es muy alta. Un proceso análogo ocurre para la corriente de electrones. La corriente total es la suma de la de huecos y la de electrones y toma un valor elevado a partir de un determinado valor de tensión (tensión umbral, V
Puede considerarse que el diodo es el dispositivo binario más elemental, ya que...