Informe De Polarizacion De Un Fet

UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSÉ DE CALDAS
FACULTAD DE INGENIERÍA INGENIERÍA ELECTRÓNICA

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II TRANSISTOR FET



CONTENIDO
1. Introducción 2. Abstract 3. Objetivo general 4. Objetivos específicos 5. Materiales 6. Procedimiento 7. Conclusiones 8. Referencias

1. INTRODUCCIÓN
Hasta ahora el trabajo en laboratorio se había limitado al uso de transistoresbipolares, sin embargo, es importante tener en cuenta que existen diversos tipos de transistores distintos al BJT que permiten obtener nuevas características y ventajas con respecto a este último. Los transistores de efecto de campo o FET, por sus siglas en inglés, permiten entre otras cosas lograr impedancias de entrada más altas y disminución de ruido. Es por esto que se hace necesario su estudioen el laboratorio bajo situaciones de análisis y de diseño, así como del conocimiento de sus limitaciones y el cuidado a la hora de ser manejados.

2. ABSTRACT
By the last time, the work with transistors in the laboratory has been limited to the use of bipolar transistors, although, it is important to know that there are several types of transistors, apart from the BJT, that allow to obtain newfeatures and advantages with respect to the latter. The fieldeffect transistors or FET, allow achieving higher input impedances and low noise presence. This is why it is necessary to study it in the laboratory under analysis and design situations, as the need to know its limitations and handling care.

3. OBJETIVO GENERAL
En esta práctica se obtendrán los parámetros de un transistor FET sedeterminaran algunas de sus características que permiten escoger un punto de operación adecuado, así que será un laboratorio de verificación y comprobación.

4. OBJETIVOS ESPECÍFICOS
 Utilizar un método sistemático que permita hallar los parámetros VGSoff, VGS(TH) , IDSS y Kn (transconductancia) de un transistor JFET y un MOSFET Entender el significado de los parámetros calculados. Analizar cómoafecta la temperatura a los parámetros del JFET Comparar los valores obtenidos en la práctica con los cálculos teóricos.

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Utilizar herramientas computacionales como Orcad PSpice en todo el proceso de la práctica para verificar que los datos adquiridos tienen relación con la simulación. Analizar la diferencia entre un transistor JFET y un MOSFET

5. MATERIALES
         Transistor JFET 2N5484 Transistor NMOSFET de enriquecimiento 2N7000 Resistencias de diversos valores Condensadores de diversos valores Protoboard Generador de señales Cautín Fuente de voltaje Multímetro Osciloscopio

6. PROCEDIMIENTO
6.1 Se adquirieron varios transistores de los cuales fue posible encontrar el datasheet del transistor 2N5484. 6.2 El empaquetado del transistor utilizado semuestra en la figura 1.

Figura 1. Transistor utilizado

Según las mediciones realizadas, se obtiene según la numeración la identificación de los terminales como: 1: Compuerta 2: Fuente 3: Drenaje

6.3 Se procede a montar el circuito de la figura 2 con el objetivo de medir los parámetros VGSoff e IDSS. Se utilizó una tensión VDS = 20V. Al medir el voltaje en el condensador se obtiene VGSoff= -1.271V. Luego el switch en paralelo al condensador se activó de manera que pusiera en corto circuito a tierra al condensador y se midió la corriente de drenaje que correspondió a IDSS = 3.375mA. 6.4 Al observar el efecto de temperatura se obtienen los datos mostrados en la tabla 1. T = 25°C -1.217V 3.375mA T >> 25°C -1.098V 3.644mA Δ 0.119V 0.269mA

VGSoff IDSS

Tabla 1. Efecto de latemperatura

Figura 2. Circuito para medir VGSoff e IDSS

Según la tabla 1 se observa que tanto VGSoff disminuye e IDSS aumenta, al incrementarse la temperatura. Se diseña el amplificador de la figura 3.

Figura 3. Amplificador con JFET

Teniendo en cuenta que IDSS = 3.375mA, se toma IDQ = IDSS/2 = 1.688mA. Como VGSoff = -1.217V, se toma VGSQ = 0.3(VGSoff) = -0.3651V. Utilizando una fuente...