Informe De Polarizacion Del Transistor

Informe practica 8, polarización del transistor


Daniel Martínez León
Sebastián Álvarez

Profesor:

William Alberto Acosta Bedoya

Equipo N°1

Grupo: LAX31-1

Instituto Tecnológico Metropolitano

Medellín

2012

OBJETIVOS

La polarización de un transistor implica fijar las corrientes y voltajes D.C de los terminales en un punto de operación determinado (Q), para unafunción concreta.
* Medir los efectos de la variación de la IB en el valor de IC
* Diseñar redes de polarización para operar transistores BJT en la región activa, y evaluar la estabilidad térmica de puntos de operación.
* Mediciones de punto de reposo
* Comparar resultados prácticos respecto de los teóricos calculados, desviación de parámetros de transistores y corrimiento de puntosde operación teóricos.

PREINFORME

De lo visto anteriormente en clase vimos como es la polarización del transistor hasta la auto polarización de base, y con sus debidas formulas sacar el punto de operación, para que con los cálculos nos acerquemos a que a la hora de hacer la práctica podamos tener valores aproximados y generen una buena amplificación.
Con lo requerido en la clase por ser elequipo 1, ósea con
Ic Max=50mA
Vcc=12V
Se hicieron los siguientes cálculos con la polarización directa, y la de auto polarización de base sabiendo que
VCEQ=Vcc2
ICQ=ICMAX2
Estas son sus ecuaciones sabiendo que icq es la corriente del punto de operación y Vceq es el voltaje del punto de operación.

FUNDAMENTO TEORICO

El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capassemiconductoras con sus respectivos contactos llamados; colector(C), base (B) y emisor (E).
La palabra bipolar se deriva del hecho que internamente existe una doble circulación de corriente: electrones y lagunas o agujeros.
Polarización del transistor
Se entiende por polarización del transistor las conexiones adecuadas que hay que realizar con corriente continua para que pueda funcionar correctamente.Fija: Este circuito es el más sencillo de todos los circuitos de polarización. La resistencia Rc limita la corriente máxima que circula por el transistor cuando este se encuentra en saturación, mientras que la resistencia de base RB regula la cantidad de corriente que ingresa a la base del transistor (IB), la cual determina en que zona se polarizará el transistor (saturación, activa o corte).Eligiendo adecuadamente el valor de las resistencias podremos determinar con exactitud el punto de trabajo (Q) del transistor y con estas ecuaciones procederemos a hacerlo:
-VRL=VCC-VCEQ
-IL=IcQ
-RL=VCC-VCEQICQ
-VCC-VRB-VBE=0
-β=ICQIB
-RB=VCC-VBEIB

Automática.
- VRL= VCC-VCEQ
-IL=Ic+IB=IE
-IL=ICQ-IB
-ICQ=βIB
-IL=βIB+IB=IB(β+1)
-RL=VCC-VCEQIB(β+1)
-VRB=Vcc-VRL-VRB
-RB=VCC-VRL-VBEIBPolarización por divisor de voltaje:
Con este tipo de polarización la estabilidad del punto Q es mucho mejor, es decir a medida que el transistor este trabajando, los valores de ICQ, VCEQ se mantendrán casi inalterables. Es por esta razón que este tipo de polarización es la más utilizada cuando se trata de diseñar un amplificador.
Para determinar los valores de las resistencias de polarización,se considerara los siguientes criterios de diseño:

-VRL=VCC-VCEQ-VRE
-RL=VCC-VCEQ-VREICQ
- IE=IB(β+1)
- RE=VCC*0.1IB(β+1)
- VRB2=VBE+VRE
-RB=VBE+VRE19IB
-VRB1=VCC-VRB2
- VRB1=VCC-VBE-VRE
-RB1=VCC-VBE-VRE20IB

RESULTADOS:

Entonces ya remplazando en las ecuaciones pasada se obtuvo que
Para polarización fija:
-ICQ=25mA
-IB=0.125mA
-RL=240Ω
-RB=90400Ω

Para polarizaciónautomática de base:
-ICQ=25mA
-IB=0.125mA
-IL=25.125mA
-RL=238.80Ω
-RL=42400Ω

Para polarización por divisor de voltaje.
-RE=47.76Ω
-RB1=4040Ω
-RB2=800Ω
-RL=192Ω
-I2=2.375mA
-I1=2.5mA
-IE=25.125mA

INFORME

POLARIZACION FIJA

| RL | RB |
Valor calculado | 240 Ω | 90400 Ω |
Valor comercial | 220 Ω | 100k Ω |

| IC | IE | IB | VCEQ |
CALCULADO | 25mA | 25.125mA | 125uA |...