Informe Física General 1

Universidad Técnica Nacional

Ingeniería Eléctrica

Laboratorio de física general 3

Informe: 1

Practica N°1: Dispositivos no lineales- EL diodo semiconductor

Prof: Ing. José A. Vásquez Araya

Estudiante:

Breitner Vega G.

Jean Paul Fernández M.

Fecha: 23/05/14

Índice
Índice de figuras................................................................................................................ 3
Índice de Tablas ................................................................................................................ 3
Índice de gráficas............................................................................................................... 3
Resumen........................................................................................................................... 4
Marco Teórico. ................................................................................................................... 4
Modelo Atómico de Bohr. ............................................................................................ 4
Primer Postulado. .................................................................................................... 4Segundo Postulado. ................................................................................................ 4
Tercer Postulado. ..................................................................................................... 5
Bandas de Energía. ...................................................................................................... 5
Conductores................................................................................................................. 6
Aislantes. ...................................................................................................................... 6
Semiconductores. ........................................................................................................ 6
Semiconductor Intrínseco........................................................................................... 6
Semiconductor Extrínseco. ......................................................................................... 6
Diodo por unión p-n. .................................................................................................... 6Objetivos............................................................................................................................ 7
Objetivo General. ......................................................................................................... 7
Objetivos Específicos. ................................................................................................. 7
Materiales Utilizados.......................................................................................................... 7
Procedimiento. ................................................................................................................... 8
Resultados Experimentales. .............................................................................................. 9
Análisis deResultados..................................................................................................... 12
Recomendaciones. .......................................................................................................... 13
Conclusiones. .................................................................................................................. 13
Bibliografía....................................................................................................................... 13

2

Índice de figuras.
Figura 1 .................................................................................................................. 5
Figura 2. Esquema del circuito. V0 representa la fuente de voltaje CC, V representa el multímetro
utilizado como voltímetro, R representa la resistencia del potenciómetro y el otro símbolo representa
el diodo....