Informe Sensor De Luz

El transistor Transistor BJT (NPN)

Daniel David Dallos Bedoya
Nelson Fernando Fernandez Majé

Diego Gerardo Gómez Orozco

Universidad del Cauca
Facultad de Ingeniería Electrónica y Telecomunicaciones
Programa de Ingeniería en Automática Industrial
Taller de Electricidad y Electrónica Grupo “B”
Popayán, Cauca
INTRODUCCION
En la siguiente practica analizaremos un circuito, en el quepodremos realizar un control de diodos led por medio de un componente llamado fotorresistencia, el cual tiene como función el detectar luminosidad del medio, y de esta forma abrir o cerrar el circuito por medio de su resistencia que varia dependiendo de la cantidad de luz. Este circuito es muy apreciable y utilizado en muchas aplicaciones y en bastantes lugares, pero la mas común y la mas ejemplares la de el alumbrado publico en las calles; cabe recordar que estos leds se alimentan por medio de la corriente de la red de suministro eléctrico, por lo que seria imposible controlar cada diodo por medio de un simple interruptor, además de que no siempre alguien se diera la tarea de encender todos los leds. Ahora bien, dependiendo si es día o noche, los leds automáticamente encenderá cuandocomience a anochecer o en el momento que amanezca, todo dependerá del diseño del circuito. Analizaremos el procedimiento y la función de los elementos que conforman el circuito por separado para de esta manera poder comprender el funcionamiento en conjunto y saber como es que se lleva a cabo la función en la que un componente depende del otro.
OBJETIVOS GENERALES
* Aprender a interpretaresquemas de circuitos electrónicos y reforzar conocimientos sobre análisis de circuitos
* El objetivo con el desarrollo de este trabajo es adquirir capacidades de interpretación con el comportamiento de la fotoresistencia
* Ampliar conocimientos sobre la aplicación del transistor en sus diferentes regiones en configuración colector común (amplificador de máximo de corriente)

OBJETIVOSESPECIFICOS
* Obtener simulaciones del circuito sensor de Luminosidad
* Observar el comportamiento de los diodos led con respecto al cambio de luminosidad en la fotoresistencia.
FOTORESISTENCIA
Es un componente electrónico cuya resistencia disminuye con el aumento de intensidad de luz incidente. Puede también ser llamado concha de day coronel fotorresistor, fotoconductor, célulafotoeléctrica o resistor dependiente de la luz, cuyas siglas, LDR, se originan de su nombre en inglés light-dependent resistor. Su cuerpo está formado por una célula o celda y dos patillas. Símbolo (figura 1) .

Figura 1

EL DIODO LED
Los diodos emisores de luz visible son utilizados en grandes cantidades como indicadores piloto, dispositivos de presentación numérica y dispositivos de presentación debarras, tanto para aplicaciones domésticas como para equipos industriales, esto es debido a sus grandes ventajas que son: peso y espacio insignificantes, precio moderado, y en cierta medida una pequeña inercia, que permite visualizar no solamente dos estados lógicos sino también fenómenos cuyas características varían progresivamente.
Como otros dispositivos de presentación, los Leds puedenproporcionar luz en color rojo, verde y azul. El material de un Led está compuesto principalmente por una combinación semiconductora. 
El GaP se utiliza en los Leds emisores de luz roja o verde; el GaAsP para los emisores de luz roja, anaranjada o amarilla y el GaAlAs para los Leds de luz roja. Para los emisores azules se han estado usando materiales como SiC, GaN, ZnSe y ZnS.

Tipos de diodo:
* LedRojo
    Formado por GaP consiste en una unión p-n obtenida por el método de crecimiento epitaxial del cristal en su fase líquida, en un substrato. 
La fuente luminosa está formada por una capa de cristal p junto con un complejo de ZnO, cuya máxima concentración está limitada, por lo que su luminosidad se satura a altas densidades de corriente. Este tipo de Led funciona con baja densidades...