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Introducción.
El transistor, es un dispositivo de cristal semiconductor, el germanio y el silicio son los materiales más frecuentemente utilizados para la fabricación de estos elementos semiconductores que tiene tres o más electrodos. Los transistores pueden efectuar y sustituyen prácticamente todas las funciones de los antiguos tubos electrónicos, con muchísimas ventajas, incluyendo laampliación y la rectificación.  

El transistor, es la contracción de transfer resistor (transferencia de resistencia), sus inventores (John Bardeen, Walter Brattain y William Shockley, los cuales fueron galardonados con el Premio Nóbel de Física en 1956), lo llamaron así. Es un dispositivo semiconductor con tres terminales, puede ser utilizado como amplificador, modulador o interruptor en el que, unapequeña corriente aplicada al terminal Base, modifica, controla o modula la resistencia al paso de un gran corriente entre los otros dos terminales Emisor y Colector. Es el componente fundamental de la moderna electrónica digital y analógica. 
El transistor, es un dispositivo semiconductor de tres bandas o capas combinadas (Negativo y Positivo), formado por dos bandas de material tipo N y una capatipo P, o bien, de dos capas de material tipo P y una tipo N. al primero se le llama transistor NPN, en tanto que al segundo, transistor PNP.
En el transistor el electrodo:
Emisor, emite los portadores de corriente (electrones o huecos), es el equivalente al cátodo de los tubos de vacío o lámpara electrónica.
Colector, es el recolector de los portadores emitidos por el emisor, es elequivalente a la placa de los tubos de vacío o lámpara electrónica. 
Base, es por el que se ejerce el control del flujo de portadores de corriente hacia la placa, es el equivalente a la placa de los tubos de vacío o lámpara electrónica. 
Existen distintos tipos de transistores, los cuales podemos clasificar en: 
-Transistores bipolares o BJT (Bipolar Junction Transistor), de Germanio o Silicio, NPNy PNP.
-Transistores de efecto de campo o FET (Field Effect Transistor), de Silicio, canal P y canal N. 
Los transistores de efecto de campo FET, normalmente tienen tres terminales denominados: puerta (Gate) similar a la base en los transistores bipolares que, controla el flujo de corriente entre los otros dos, la fuente (Surtidor) y el drenador (Drain). Una diferencia significativa frente a lostransistores bipolares es que, la puerta no requiere del consumo de una intensidad como ocurre con los transistores bipolares que si bien es muy pequeña (depende de la ganancia), no se ha de despreciar. 
El JFET de canal n esta constituido por una barra de material semiconductor de silicio de tipo n con dos regiones (o islas) de material tipo p situadas a ambos lados. La dolarización de un JFETexige que las uniones p-n estén inversamente polarizadas. En un JFET de canal n, la tensión del drenador debe ser mayor que la del surtidor. para que exista un flujo de corriente a través del canal. Además, la puerta debe tener una tensión mas negativa que la fuente para que la unión p-n se encuentre polarizada inversamente.
La característica más significativa que diferencia los transistoresbipolares de los JFET es que, mientras los transistores bipolares son polarizados por corriente, lo que provoca un aumento del calor en el dispositivo, el conocido efecto avalancha, pudiendo dañar al dispositivo si no se toman las debidas precauciones, en cambio, en los JFET que son dispositivos controlados por tensión, son más estables con la temperatura, además tienen una alta impedancia de entradasobre los 1012Ohmios, ofrecen una muy baja resistencia de paso, cerca de 0'005Ohmios a 12A, generan menor ruido, permiten mayor integración y sencillez, pueden disipar mayor potencia y conmutar grandes corrientes. 
Inconvenientes de los FET; debido a la alta capacidad de entrada, presentan un respuesta pobre en frecuencias, son muy poco lineales, su mayor inconveniente es la electricidad...