La Electronica y Olos Semiconductores

La electrónica y los semiconductores
La verdadera revolución tecnológica de la Electrónica surge con la invención de los dispositivos basados en semiconductores, y más en concreto, con la invención del transistor. Los primeros trabajos sobre semiconductores fueron comenzados por Hall en 1879 sobre el efecto que lleva su nombre. Los primeros rectificadores de unión metal-semiconductor seestudian entre 1920 y 1930, y es en 1938 cuando Shottky y Mott realizan separadamente un estudio sistemático sobre las propiedades de estos dispositivos, proponiendo la primera teoría del espacio de carga. En esta época, se realizan muchos estudios sobre semiconductores y se perfeccionan las técnicas de crecimiento de cristales. En 1943, se obtiene la primera unión P-N sobre cristal único de silicio.Tendencias futuras
La informática se desarrolló bajo una divisa implícita: más pequeño, más rápido, más barato (smaller, faster, cheaper8). Estas tres palabras al mismo tiempo describían el acontecer y expresaban el deseo de la industria. Eran similares a la divisa que el barón Pierre de Coubertin había elegido para los juegos olímpicos modernos, una terna de palabras latinas –que describían lamisma idea– para caracterizarlos: altius, citius, fortius (más alto, más rápido, más fuerte).
SMALLER
La microelectrónica comenzó en 1961 con los circuitos integrados. En 1965 Gordon Moore advertía el crecimiento exponencial de la cantidad de transistores de los circuitos. En un artículo en la revista Electronics publicaba la idea primera de lo que hoy conocemos la "ley" de Gordon Moore. Eneste entonces era director de Fairchild Semiconductor Corporation, una empresa que forjaría los primeros comienzos de la microelectrónica.En el comienzo de la electrónica lo primero que se advirtió fue que cada vez los circuitos eran más pequeños. La tríada comenzó en smaller.
Proceso de fabricación
La integración CMOS consiste en formar zonas semiconductoras N y P y la zona de óxido de puerta conpolisilicio encima de ella e interconectar los diversos transistores entre sí y con la fuente de alimentación, todas estas conexiones mediante líneas de metal (aluminio).
Las regiones citadas no se encuentran en el mismo plano sino en «pisos» sucesivos: las difusiones penetran en la oblea semiconductora, el óxido de puerta y el polisilicio se elevan sobre ella y el metal circula por encima detodo el conjunto. Sendas capas de óxido separan los transistores entre sí y al metal de todo lo que tiene debajo, salvo en los puntos en que debe establecer conexión.
Pero, además, las difusiones N requieren un substrato P que es el dopado propio de la oblea, mientras que las difusiones P precisan de substrato N que habrá que formarlo previamente sobre la oblea P: los pozos. El substrato P debeestar polarizado a la tensión más negativa y los pozos N a la más positiva, en ambos casos con la finalidad de que las uniones difusión-substrato queden aisladas, en polarización inversa.
Amplificador operacional ideal
Circuito Integrado Analógico de uso universal (no de aplicación específica). Se emplea como bloque funcional para facilitar el diseño de circuitos electrónicos analógicos. Unamplificador operacional (A.O., habitualmente llamado op-amp) es un circuito electrónico (normalmente se presenta como circuito integrado) que tiene dos entradas y una salida. La salida es la diferencia de las dos entradas multiplicada por un factor (G) (ganancia):
Vout = G·(V+ menos V-)
El primer amplificador operacional monolítico data de los años 1960, era el Fairchild A702 (1964), diseñado porBob Widlar. Le siguió el Fairchild A709 (1965), también de Widlar, y que constituyó un gran éxito comercial. Más tarde sería sustituido por el popular Fairchild A741 (1968), de David Fullagar, y fabricado por numerosas empresas, basado en tecnología bipolar. Originalmente los A.O. se empleaban para operaciones matemáticas (suma, resta, multiplicación, división, integración, derivación, etc) en...