La Memoria Auxiliar

Contenido
* Tarjetas Perforadas
* La Memoria Auxiliar
* Dispositivos de almacenamiento Magnetico
* Cintas magneticas
* Discos duros
* Discos Flexibles
* Dispositivos de almacenamiento óptico
* Primera Generacion
* Segunda Generacion
* Tercera Generacion
* Otras Unidades
* Unidades Iomega Zip,Jaz
* Unidad 3M SuperDisk
* Anexos

TarjetasPerforadas
Las tarjetas perforadas fueron utilizados por primera vez por Basile Bouchon para el control detelares textiles en Francia.1 En 1801 el sistema de Bouchon fue perfeccionado por Joseph Marie Jacquard, quien desarrolló un telar automático, conocido como telar de Jacquard.2 Herman Hollerith desarrolló la tecnología de procesamiento de datos de tarjetas perforadas para el censo de EstadosUnidos de 1890 y posteriormente fundó la Tabulating Machine Company, una de las precursoras de IBM. IBM desarrolló la tecnología de la tarjeta perforada como una potente herramienta para el procesamiento de datos empresariales y produjo una línea extensiva demáquinas de registro que utilizaban papel perforado para el almacenamiento de datos y su procesado automático. En el año 1950, las tarjetas IBMy las unidades máquinas de registro IBM se habían vuelto indispensables en la industria y el gobierno estadounidense. Durante los años 1960, las tarjetas perforadas fueron gradualmente reemplazadas por las cintas magnéticas, aunque su uso fue muy común hasta mediados de los años 1970 con la aparición de los discos magnéticos. La información se grababa en las tarjetas perforando agujeros en elpapel o la tarjeta. La lectura se realizaba por sensores eléctricos (más tarde ópticos) donde una localización particular podía estar agujereada o no.
Para almacenar información, los tubos Williams usaban un tubo de rayos catódicos y los tubosSelectrón usaban un gran tubo de vacío. Estos dispositivos de memoria primaria tuvieron una corta vida en el mercado ya que el tubo de Williams no era fiable yel tubo de Selectron era caro.
La memoria de línea de retardo usaba ondas sonoras en una sustancia como podía ser elMercurio para guardar información. La memoria de línea de retardo era una memoria dinámica volátil, ciclo secuencial de lectura/escritura. Se usaba como memoria principal.
Otros métodos propuestos
La memoria de cambio de fase usa las fases de un material de cambio de fase paraalmacenar información. Dicha información se lee observando la resistencia eléctrica variable del material. La memoria de cambio de fase sería una memoria de lectura/escritura no volátil, deacceso aleatorio podría ser usada como memoria primaria, secundaria y fuera de línea. La memoria holográfica almacena ópticamente la información dentro de cristales o fotopolímeros. Las memorias holográficas puedenutilizar todo el volumen del medio de almacenamiento, a diferencia de las memorias de discos ópticos, que están limitadas a un pequeño número de superficies en capas. La memoria holográfica podría ser no volátil, de acceso secuencial y tanto de escritura única como de lectura/escritura. Puede ser usada tanto como memoria secundaria como fuera de línea.
La memoria molecular almacena lainformación en polímeros que pueden almacenar puntas de carga eléctrica. La memoria molecular puede ser especialmente interesante como memoria principal.
Recientemente se ha propuesto utilizar el spin de un electrón como memoria. Se ha demostrado que es posible desarrollar un circuito electrónico que lea el spin del electrón y lo convierta en una señal eléctrica.
La Memoria Auxiliar

Cerca de la mitad delos años 50´s, las posibilidades prácticas de los procesadores fueron ampliadas notablemente con el uso de memorias auxiliares externas. Cintas, discos y tambores magnéticos registran gran cantidad de información para conservarla permanentemente o bien para utilizarla rápidamente durante las fases de procesamiento.
Se denomina memoria auxiliar debido a que reside lejos del procesador....