La yuxtaposición metacuántica en las obras de Becquer

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS Y FOTÓNICOS

PRÁCTICA 9

 

Práctica de laboratorio 9
TRANSISTORES UNIPOLARES
PARTE 1: MATERIAL PREVIO

1.

RESULTADOS DE APRENDIZAJE
a) Diseñar y medir circuitos de polarización para transistores unipolares. 
b) Diseñar y medir aplicaciones básicas como amplificador, drivers y puerta lógica. 
 

2.

INTRODUCCIÓN

Los  transistores  unipolares reciben  esta  denominación  debido  a  que  el  mecanismo  de 
conducción se realiza por medio de los portadores de carga mayoritarios, electrones o huecos, 
controlados por un campo eléctrico. Esto les diferencia de los transistores bipolares en los que 
la conducción se realiza por los dos tipos de portadores, mayoritarios y minoritarios. Debido a que el control se efectúa por un campo eléctrico también se les conoce como transistores de 
efecto de campo (FET). Comparados con los transistores bipolares (BJT)., los FET presentan una 
elevada impedancia de entrada que les hace ser dispositivos controlados por tensión y no por 
corriente.  Típicamente  se  asume  que  la  corriente  por  su  puerta  IG=0  debido  a  esta  alta 
impedancia de entrada. Hay muchos tipos de transistores unipolares, construidos de diferentes formas, pero dado que 
todos conservan el mismo principio de funcionamiento se suelen agrupar para su estudio.  Los 
transistores unipolares se pueden clasificar en dos grandes grupos: 


Transistores de efecto de campo de unión (JFET), que a su vez pueden ser de canal N o 
de canal P. 
D

D

D
VDG

G

G

ID

G

VDS

IG
VGS
S

Canal N

SIS
S

Canal P

 

Figura 1 Transistores JFET símbolos, corrientes y tensiones.



Transistores  de  efecto  de  campo  M.O.S.  (Metal  Oxide  Semiconductor),  que  se 
subdividen en: de acumulación y de deplexión. Pudiendo ser, a su vez, cada uno, de 
canal N (Substrato P) o de canal P (Substrato N). 

CARACTERÍSTICAS Y DOCUMENTACIÓN DE COMPONENTES

 

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DISPOSITIVOSELECTRÓNICOS Y FOTÓNICOS

PRÁCTICA 9

 

D

D

Substrato P

G

D

Substrato N
G

Substrato P

G

S

S

D

G

S

De canal inducido o acumulación

Substrato N

S
De canal difundido o deplexión

 
Figura 2 Transistores MOSFET símbolos.

 
Donde D es drenador, G es la puerta y S es el surtidor o fuente.  
El  comportamiento  de  un  transistor  unipolar se  puede  identificar  como  un  canal  donde  el 
caudal o intensidad pasa de la fuente o surtidor al drenador y donde la compuerta del canal o 
tensión en la puerta controla este caudal o intensidad.  
En la práctica que nos ocupa se va a utilizar transistores MOS de canal inducido o acumulación 
tanto  de  canal  N  como  de  canal  P,  en  circuitos  de  polarización  y  para  trabajar  en puertas 
lógicas. 

3.
3.1

CONTEXTO TEÓRICO
Polarización de transistores unipolares.

En todo transistor unipolar siempre se cumplen las ecuaciones de nudos y mallas. Así teniendo en 
cuenta las corrientes y tensión que aparecen en la figura 1, se cumple 
 

 I S  I D  IG
VDS  VDG  VGS

 

Considerando que IG=0, se resumen en  

 IS  ID
VDS  VDG  VGS

 Por otro lado, en función de las tensiones que se aplican se consigue que el transistor unipolar 
trabajen en diferentes zonas de funcionamiento. Por zonas de funcionamiento entendemos un 
comportamiento distinto electrónicamente hablando. El transistor unipolar puede trabajar en 
tres zonas de funcionamiento muy diferenciadas : corte, óhmica y saturación. (Ver ANEXO 1) 
Corte Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales. El 
canal tiene cerrado el paso es decir la tensión aplicada en la puerta no permite que el 
canal esté abierto. 
CARACTERÍSTICAS Y DOCUMENTACIÓN DE COMPONENTES

 

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PRÁCTICA 9

 
Óhmica 
En  esta  zona  de  funcionamiento  el  canal  esta  semiabierto  y ...