lab fet

CURVA CARACTERISTICA DEL FET
Omar Fonseca, Diego zarta, Jair Pardo, Adriana Aurela


ABSTRACT

JFETs are semiconductor device in which the current flows through an area called a channel connectingtwo terminals that are the source and drain. This current is controlled by an electric field caused by anapplied voltage in a third terminal called the gate.
I. INTRODUCCION.
Podemos mencionaralgunas características del JFET:
Los JFET generan un nivel de ruido menor que los BJT
Los JFET so más estables con la temperatura que los BJT.
La alta impedancia de entrada de los JFET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.

Pasos para el correcto funcionamiento del JFET:
Para un correcto funcionamiento de un JFET,consideramos los siguientes aspectos:
Especificaciones del diseño
Obtención de los puntos de trabajo en las curvas características de entrada y salida del JFET
Determinación de los valores de los componentes de polarización
Cálculo de los capacitares, las cuales brindan las asíntotas de ganancia en función de la frecuencia
 Ajustes y análisis de errores.

II. OBJETIVO GENERAL
Obtener la curvacaracterística del FET (Field Effect Transistor) distinguiendo los parámetros de operación más importantes.
III. OBJETIVOS ESPECIFICOS
- Entender y describir apropiadamente el funcionamiento de los transistores FET.
- Comparar las ventajas y desventajas que representa la tecnología FET frente a los transistores comunes.
- Analizar los distintos campos acción de la tecnología FET de acuerdoa sus singulares parámetros de operación.
IV. MATERIALES
COMPONENTES ELECTRICOS:
2 fet 2n5457
potenciómetros de 1k
resistencias de 100
INSTRUMENTACION
fuente de alimentación de cd
multímetro digital
V. MARCO TEORICO.
TRANSISTOR FET
Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamientode portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. 
Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador decargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unión p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) yfuente (s-source), más una conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.


La figura muestra  el croquis de un FET con canal N

VI. PROCEDIMIENTO

Realice el análisis AC, obtenga Av , Ai , Zi , Zo Realice la simulación del diseño, realice todas las medidas necesarias para rellenar la tabla siguiente, a la hora de imprimir el circuito sacar los valores de los amperímetros y voltímetros.Realice el montaje.

1. TEÓRICO.
Cálculos.
De acuerdo a la hoja de datos del transistor utilizado para esta práctica (2N459) se obtiene:
.
.
Para cualquier valor de con un ,




Para cualquier valor de con un .



0V
-0,5V
-0,8V
-1V
-2V
-2,5V
0V
0
0
0
0
0
0
0.5V
16
14,06
12,96
12,25
9
7,56
1V
16
14,06
12,96
12,25
9
7,56
2V
16
14,06
12,96
12,25
97,56
4V
16
14,06
12,96
12,25
9
7,56
8V
16
14,06
12,96
12,25
9
7,56
10V
16
14,06
12,96
12,25
9
7,56

Para cualquier valor de con un .



Para cualquier valor de con un .



Para cualquier valor de con un .



Para cualquier valor de con un .



Tabla de datos.

Grafica.



2. SIMULADO.
Circuito.


Tabla de Datos.

Vgs 0V
Vgs -0,5V
Vgs -0,8V...