: LABORATORIO DE TRANSISTORES DE POTENCIA 2N3055


LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

PRACTICA N° 1: LABORATORIO DE TRANSISTORES DE POTENCIA 2N3055



PRESENTADO POR:

JHONATAN ALFREDO RODRIGUEZ SALAZAR

PRESENTADO A:

ING. OVIDIOOSPINO




UNIVERSIDAD COOPERATIVA DE COLOMBIA
FACULTAD DE INGENIERIA
PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRONICA

SANTA MARTA DTCH
2014


INTRODUCCION
Este laboratorio nos mostrara la forma detrabajar un transistor en corte y saturación controlando una corriente de colector muy grande con una corriente de base pequeña. En este laboratorio utilizaremos un transistor 2N3055 en corte ysaturación, esta configuración nos brinda una mayor ganancia de corriente debido a que es un transistor de potencia que nos permite controlar hasta 15 amperios.OBJETIVOS

OBJETIVO GENERAL.
Comprobar cómo se comporta un BJT en configuración emisor común en corte y saturación

OBJETIVOS ESPECÍFICOS.
Observar las diferencias entre los valores calculados ylos reales.
Controlar una corriente de colector grande, con una corriente de base pequeña.

















DESARROLLO
El siguiente laboratorio consiste en saturar un transistor2N3055 a 4.6 amperios.
En este laboratorio hemos tenido que calcular los datos de las resistencias y corriente con los cuales vamos a trabajar los datos son los siguientes:
β=10 medidoIcmax=4.6A
=
.

Después de haber tomado los datos nos propusimos tomar los valores que nos daba el transistor si incrementábamos Ib; los datos que arrojo eltransistor antes de saturarse son los siguientes:

DATOS
VB
IB
IC
BE
BC
ESTADO DEL BJT
0
0
0
0
0
0
CORTE
1
1V
0.05 A
2.53 A
0.75 V
.10 V
REGION ACTIVA
2
2V
0.23 A
3.37 A
0.96 V-6.25 V
REGION ACTIVA
3
3V
0.40 A
3.87 A
1.1 V
-3.62 V
REGION ACTIVA
4
4V
0.56 A
4.15 A
1.22 V
-1.8 V
REGION ACTIVA
5
5V
0.74 A
4.33 A
1.28 V
-0.5 V
CUASI REGION ACTIVA...