laboratorio diodo
Páginas: 8 (1975 palabras)
Publicado: 22 de febrero de 2015
“LAVORATORIO EL DIODO”
Laboratorio diodo.
Alejandra Castañeda B, Wilson Aguilar, Wilmar Sánchez, Erick
Universidad Distrital Francisco José de Caldas
Tecnología en Electrónica
Bogotá D.C, Colombia
I. INTRODUCCION.
En esta práctica se procedió a montar un circuito el cual se centra en el reconocimiento del diodo como principio básico de la electrónica, para ello en los circuitosde este laboratorio se usan distintas configuraciones del diodo para comprender como funciona la lógica binaria y conocer las propiedades de este semiconductor
II. OBJETIVOS.
Identificar ánodo y cátodo de un diodo usando multímetro digital o análogo
Identificar por medio del voltaje el punto de trabajo del diodo
Invertir la posición de la fuente con respecto al diodo e identificar sucomportamiento
Medir las ondas de entrada y salida de un circuito con diodo para visualizar el cambio que este efectua
III. MARCO TEORICO.
El diodo.
Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente eléctrica en una única dirección. De forma simplificada, la curva característica de un diodo consta de dos regiones, por debajo de cierta diferencia de potencial,se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con muy pequeña resistencia eléctrica
Imagen No. 1(aspecto del diodo genérico)
Teoría del Semiconductores
El silicio y el germanio son los dos elementos utilizados en la electrónica para desarrollarse ambos tienen en su ultimo nivel de energía cuatro electrones porello se Llaman elementos tetravalentes.
Cristales
Es la combinación delos átomos de silicio o de germanio para formar un sólido de configuración ordenada, de modo que en su orbita de valencia logren formar el nivel completo es decir 8 electrones (en el caso del silicio). A la fuerza que une los átomos unidos entre sí se le llama enlace covalente. Para que esto se cumpla a un átomo desilicio se asocia con otros cuatro átomos de silicio, logrando la estabilidad requerida en su nivel de valencia, pero compartiendo sus electrones.
Bandas de energía
La combinación de los átomos en un cristal origina que la orbita de un electrón quede influida por las cargas de muchos átomos adyacentes. Es así que los electrones de la primera orbita tendrá cada uno un nivel deenergía. Todos los niveles de energía de los electrones de la primera orbita forman una banda, igual ocurrirá con la segunda y la de valencia.
Huecos y electrones de valencia
Cuando se produce una energía externa un electrón de valencia es lanzado a un nivel superior de energía. En el sitio donde se encontraba este electrón queda un espacio al que se le llama hueco. Estos huecos seconsideran positivos y producen su propia corriente.
Conducción en cristales
En los alambres de cobre existen electrones libres que viajen en orbitas extremadamente grandes, los electrones libres pertenecen a una banda llamada de conducción.
En el semiconductor pueden existir electrones libres, pero a -273 grados centígrados (cero absoluto), la banda de conducción no tieneelectrones, es decir, no existen electrones libres. No existe corriente.
Al aumentar la temperatura arriba del cero absoluto, la energía que está en forma de calor rompe algunos enlaces covalentes, enviando algunos electrones de valencia hacia la banda de conducción generándose así, una corriente producida por los electrones libres, pero también por los huecos que quedan en la banda de valencia que vana ser llenados por otros electrones de valencia. A mayor temperatura mayor será la corriente. A 25 grados centígrado la corriente es muy pequeña para ser útil.
Recombinación
Es la fusión de un hueco con un electrón.
Semiconductor tipo P
Para obtener exceso de huecos las impurezas a agregar deben ser trivalentes (aluminio, boro, galio). En este caso los...
Laboratorio diodo.
Alejandra Castañeda B, Wilson Aguilar, Wilmar Sánchez, Erick
Universidad Distrital Francisco José de Caldas
Tecnología en Electrónica
Bogotá D.C, Colombia
I. INTRODUCCION.
En esta práctica se procedió a montar un circuito el cual se centra en el reconocimiento del diodo como principio básico de la electrónica, para ello en los circuitosde este laboratorio se usan distintas configuraciones del diodo para comprender como funciona la lógica binaria y conocer las propiedades de este semiconductor
II. OBJETIVOS.
Identificar ánodo y cátodo de un diodo usando multímetro digital o análogo
Identificar por medio del voltaje el punto de trabajo del diodo
Invertir la posición de la fuente con respecto al diodo e identificar sucomportamiento
Medir las ondas de entrada y salida de un circuito con diodo para visualizar el cambio que este efectua
III. MARCO TEORICO.
El diodo.
Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente eléctrica en una única dirección. De forma simplificada, la curva característica de un diodo consta de dos regiones, por debajo de cierta diferencia de potencial,se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con muy pequeña resistencia eléctrica
Imagen No. 1(aspecto del diodo genérico)
Teoría del Semiconductores
El silicio y el germanio son los dos elementos utilizados en la electrónica para desarrollarse ambos tienen en su ultimo nivel de energía cuatro electrones porello se Llaman elementos tetravalentes.
Cristales
Es la combinación delos átomos de silicio o de germanio para formar un sólido de configuración ordenada, de modo que en su orbita de valencia logren formar el nivel completo es decir 8 electrones (en el caso del silicio). A la fuerza que une los átomos unidos entre sí se le llama enlace covalente. Para que esto se cumpla a un átomo desilicio se asocia con otros cuatro átomos de silicio, logrando la estabilidad requerida en su nivel de valencia, pero compartiendo sus electrones.
Bandas de energía
La combinación de los átomos en un cristal origina que la orbita de un electrón quede influida por las cargas de muchos átomos adyacentes. Es así que los electrones de la primera orbita tendrá cada uno un nivel deenergía. Todos los niveles de energía de los electrones de la primera orbita forman una banda, igual ocurrirá con la segunda y la de valencia.
Huecos y electrones de valencia
Cuando se produce una energía externa un electrón de valencia es lanzado a un nivel superior de energía. En el sitio donde se encontraba este electrón queda un espacio al que se le llama hueco. Estos huecos seconsideran positivos y producen su propia corriente.
Conducción en cristales
En los alambres de cobre existen electrones libres que viajen en orbitas extremadamente grandes, los electrones libres pertenecen a una banda llamada de conducción.
En el semiconductor pueden existir electrones libres, pero a -273 grados centígrados (cero absoluto), la banda de conducción no tieneelectrones, es decir, no existen electrones libres. No existe corriente.
Al aumentar la temperatura arriba del cero absoluto, la energía que está en forma de calor rompe algunos enlaces covalentes, enviando algunos electrones de valencia hacia la banda de conducción generándose así, una corriente producida por los electrones libres, pero también por los huecos que quedan en la banda de valencia que vana ser llenados por otros electrones de valencia. A mayor temperatura mayor será la corriente. A 25 grados centígrado la corriente es muy pequeña para ser útil.
Recombinación
Es la fusión de un hueco con un electrón.
Semiconductor tipo P
Para obtener exceso de huecos las impurezas a agregar deben ser trivalentes (aluminio, boro, galio). En este caso los...
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