laboratorio polarización jfet

Resumen—En este informe se presenta las Características y Funcionamiento del JFET, que no es más que un transistor que es controlado por voltaje a diferencia del transistor bipolar que es controlado por corriente, nuestro cometido es en saber las respectivas formas de polarización en el cual se puede utilizar utilizando de manera correcta las herramientas suministrada por el laboratorio y laorientación del docente
Objetivos
-Verificar el funcionamiento de un JFET
-Experimentar circuitos de polarización del JFET
Fundamento Teórico
El JFET está constituido por una barra de silicio tipo N o canal N, introducido en una barra o anillo de silicio tipo P Los terminales del canal N son denominados “surtidor” (source) y “drenador” (drain).El anillo forma el tercer terminal del JFET llamadocompuerta (gate).El surtidor, también es denominado Fuente
Inicialmente circula una corriente por la compuerta, pero posteriormente la corriente circula únicamente desde el surtidor al Drenador sin cruzar la juntura PN
El control de esta corriente se efectúa por medio de la aplicación de un voltaje de polarización inverso entre compuerta y fuente (VGS), formando un campo eléctrico el cuallimita el paso de la corriente a través del canal N. Al aumentar el voltaje inverso, aplicado a la compuerta, aumenta el campo eléctrico, y la corriente de Surtidor a Drenador disminuye.





También se construyen JFET con barra de silicio tipo P y anillos de silicio tipo N, denominándose“JFET canal P”.
El voltaje aplicado entre el Drenador y el Surtidor (VDS), no debe sobrepasar el voltaje deruptura (típicamente 50V) porque destruiría el dispositivo.
Si se aplica polarización directa a la compuerta, circulará una alta corriente por la compuerta que puede destruir el JFET si no está limitada por una resistencia en serie con la compuerta
Equipos utilizados
-Fuente de alimentación dual ajustable
De 0 a 15 V.
-Un Multímetro digital o analógico
-Un transistor 2N3904
-Un JFET K30A óequivalente,
-Un LED
-Resistencias de: 270Ω, 470Ω, 33KΩ, 4.7KΩ, 100KΩ, 1.8KΩ, 2KΩ, 1MΩ.
-Potenciómetro de 10KΩ
Procedimiento
Se empieza con la experiencia probando el respectivo JFET:
Se comprueba con un ohmímetro, en la escala de Rx1 ó Rx10.Entre compuerta y fuente o compuerta y drenaje debe marcar como si fuera un diodo de silicio; es decir alta resistencia en un sentido y baja en elinverso.
Entre drenador y surtidor, el valor óhmico exclusivamente del material del canal. Su valor varía entre 2K y 10K, siendo el mismo en ambos sentidos


Se arman estos circuitos, para la primera figura se coloca un amperímetro entre el circuito y la fuente de voltaje, se enciende la fuente y se observa tanto el amperímetro como el LED, si no pasa corriente (LED apagado), apague la fuente einvierta las conexiones del LED. (Verifique la posición del LED)
Para la segunda figura se conecta el terminal central a la compuerta (retirarla previamente del nivel de referencia), gire el potenciómetro y observe la corriente, con el voltímetro mida la tensión VGS en el momento en que ID se hace cero
POLARIZACION FIJA:

Ubique en forma adecuada los instrumentos tal que pueda medir ID yVGS; encienda las fuentes y anote los valores de ID y VGS y también VDS. Si se dispone de un transistor adicional, cámbielo y apunte las nuevas medidas




AUTOPOLARIZACION:

Conecte adecuadamente los instrumentos para medir ID y VGS,
encienda las fuente y anote los valores de ID, VGS y las demás tensiones del circuito

Resultados
Para la figura 1
Magnitud Valor Medido
Ids 16.17mAIs 0
Ig 0
Vgs 0
Vds 8v
Vgd 8v

Para la figura 2
Magnitud Valor Medido
Vgs 5v
Vgd 15v
Vds 10v
Id 2.44mA
Is 0
Ig 0

Para el circuito de polarización fija
Magnitud Valor Medido Valor Calculado
Vds 8.52v
Vgs -0.715v

Vgd 8.51v
Id 0.775mA
Ig 0
Is 0



Para el circuito de auto polarización
Magnitud Valor Medido Valor Calculado
Vds 5.77v
Vgs -0.058v
Vgd 3.96v
Is...