Memoria Ccd

Páginas: 2 (369 palabras) Publicado: 7 de junio de 2012
MEMORIAS CCD (Charge Coupled Device)

Una memoria CCD, dispositivo de acoplamiento por carga, almacena los datos como cargas de condensador, sin embargo a diferencia de una RAM dinámica, la celdade almacenamiento no incluye transistor, la ventaja de estas memorias es su alta densidad. La memoria CCD está formada por largas filas de condensadores semiconductores, denominados canales. Donde lasmatrices CCD se utilizan en algunas cámaras digitales para captura de imágenes de video en forma de luz inducida. Opera almacenando y transfiriendo portadores minoritarios de un semiconductor.Métodos de Inyección de electrones.

* Un procedimiento consiste en pulsar el electrodo del extremo de la entrada del dispositivo con un voltaje suficientemente elevada para originar una disrupciónpor alud momentánea, donde la disrupción tiene lugar en la región de empobrecimiento bajo el electrodo, mandando a la superficie un paquete de electrones. Y cuya temporización debe ser tal que estépresente un pozo potencial y comience su viaje de la entrada a la salida. La ausencia de pulso disruptivo almacena un cero en el pozo. Los huecos que se generan durante la disrupción pasan al substratoneutro.

* Otra técnica consiste en aplicar un pulso luminoso a la región superficial bajo el electrodo de entrada. En la capa de empobrecimiento se crean pares electrón-hueco y los electrones vana la superficie.

* Un tercer método que se emplea a menudo para suministrar carga a un pozo de potencial utiliza una región PN. En el lado de entrada de la superficie hay una región Nfuertemente contaminada, polarizada en sentido directo respecto al substrato P. Se inyectan electrones desde la región N y los que entran en la porción de capa de empobrecimiento situada entre el substratoneutro y la superficie constituyen el paquete que se almacena como bit. Para la detección (la salida) se puede hacer un proceso similar al anterior, sólo que en el electrodo perteneciente a la salida,...
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