Memoria descriptiva electrica
Páginas: 3 (511 palabras)
Publicado: 5 de mayo de 2011
Características del Transistor: algunas especificaciones del fabricante.
Régimen de tensiones
Por encima de ciertos valores de tensión colector emisor, BVCER, llamada tensión de rupturacolector emisor, se deteriora el dispositivo permanentemente si no se limita la corriente. Para algunos transistores se tienen gráficos en los cuales se da la tensión de ruptura en función de una resistenciaen la base RB de ahí el subíndice R en el nombre.
Así reconocemos una tensión de ruptura máxima cuando RB = 0 o base en cortocircuito, llamada BVCES. Cuando la base está abierta RB = se tiene latensión de ruptura mínima BVCEO. Se puede demostrar que BVCEO ½BVCBO siendo BVCBO la máxima tensión inversa colector base antes de llegar a la ruptura (producida por la multiplicación en avalanchade la corriente ICBO = ICO que pasa por la juntura).
Para muchos transistores no se da un gráfico como el anterior, en su lugar se especifican los valores de BVCES y BVCEO, que para el BC337resultan 50 y 45 V respectivamente.
La tensión de ruptura de la juntura base emisor viene especificada como BVBEO siendo destructiva, y cuyos valores oscilan entre 5 ~ 7 V en casi todos los transistoresbipolares.
Se acostumbra a indicar las tensiones de ruptura con otras letras como: V(BR)CEO, V(BR)CBO, V(BR)EBO. No es la única manera de indicarlas.
Por seguridad se elige la fuente de alimentaciónpara un transistor tal que sea aproximadamente igual a 0,75BVCEO.
Régimen de corrientes
Se pueden encontrar en las hojas del fabricante dos valores máximos de corriente de colector, uno paracorriente continua IC y otro para corriente de pico ICM, siendo la última mayor que la primera. La máxima corriente puede ser destructiva o bien especificarse para no disminuir mucho el hFE.
Régimende temperatura
ICBO = ICO y VBE varían con la temperatura, siendo estas variaciones idénticas a las vistas para el diodo de juntura. hFE = varía con la temperatura, de acuerdo al gráfico...
Régimen de tensiones
Por encima de ciertos valores de tensión colector emisor, BVCER, llamada tensión de rupturacolector emisor, se deteriora el dispositivo permanentemente si no se limita la corriente. Para algunos transistores se tienen gráficos en los cuales se da la tensión de ruptura en función de una resistenciaen la base RB de ahí el subíndice R en el nombre.
Así reconocemos una tensión de ruptura máxima cuando RB = 0 o base en cortocircuito, llamada BVCES. Cuando la base está abierta RB = se tiene latensión de ruptura mínima BVCEO. Se puede demostrar que BVCEO ½BVCBO siendo BVCBO la máxima tensión inversa colector base antes de llegar a la ruptura (producida por la multiplicación en avalanchade la corriente ICBO = ICO que pasa por la juntura).
Para muchos transistores no se da un gráfico como el anterior, en su lugar se especifican los valores de BVCES y BVCEO, que para el BC337resultan 50 y 45 V respectivamente.
La tensión de ruptura de la juntura base emisor viene especificada como BVBEO siendo destructiva, y cuyos valores oscilan entre 5 ~ 7 V en casi todos los transistoresbipolares.
Se acostumbra a indicar las tensiones de ruptura con otras letras como: V(BR)CEO, V(BR)CBO, V(BR)EBO. No es la única manera de indicarlas.
Por seguridad se elige la fuente de alimentaciónpara un transistor tal que sea aproximadamente igual a 0,75BVCEO.
Régimen de corrientes
Se pueden encontrar en las hojas del fabricante dos valores máximos de corriente de colector, uno paracorriente continua IC y otro para corriente de pico ICM, siendo la última mayor que la primera. La máxima corriente puede ser destructiva o bien especificarse para no disminuir mucho el hFE.
Régimende temperatura
ICBO = ICO y VBE varían con la temperatura, siendo estas variaciones idénticas a las vistas para el diodo de juntura. hFE = varía con la temperatura, de acuerdo al gráfico...
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