Memoria Practica 6 Mosfet FFT UGR
Páginas: 2 (405 palabras)
Publicado: 22 de mayo de 2013
PRACTICA 6: MOSFET
OBJETIVOS
Los objetivos de esta práctica son realizar el montaje de un circuito con un dispositivo MOSFET medir su característica de transferencia y su característicaI-V.
FUNDAMENTO TEORICO
El dispositivo MOSFET es un dispositivo de 3 terminales llamados puerta (G), drenador (D) y fuente (S), la corriente que circula entre los terminales de fuente y drenadorse controla a través de la puerta.
Según la naturaleza del MOSFET se distinguen dos clases:
1. NMOSFET
2. PMOSFET
Según a su funcionamiento existen tres modos de funcionamiento dependientesde la relación entre los voltajes de los terminales:
Corte
En este modo el transistor no funciona, es decir, no hay corriente entre la fuente y el drenador y se cumple:
Siendola tensiónumbral del dispositivo.
Lineal
En este estado, el dispositivo funciona ya que se crea un canal entre fuente y drenador que permite la circulación de corriente entre ambos y se cumple:Donde:
1. es la movilidad efectiva de los portadores
2. W es la anchura de la puerta
3. L es su longitud
4. es la capacidad del oxido de la puerta por unidad de area
Saturación
Donde en esteestado el dispositivo también funciona y se cumple:
MATERIAL
En esta práctica se utilizó:
Una placa de montaje de circuitos.
Una fuente de alimentación del aula.
Una resistencia RG de 988Ω.Una resistencia RD de 9870Ω.
Un polímetro digital.
Un circuito integrado 4007 (6 MOSFET) con una tensión umbral de unos 0,7 V.
DESARROLLO, RESULTADOS Y DISCUSION
En esta práctica teníamosque montar dos circuitos, el primero consistía en un transistor MOSFET sin cortocircuitar unido a una resistencia por el drenador y otra resistencia por la puerta, la fuente iría a tierra:
Al aplicarla fuente de alimentación (Vi) con valores de 0V a 5V en saltos de 0,5V y 0.25V al circuito tomamos medidas de la caída de tensión entre el drenador y la fuente, entre la puerta y la fuente y la...
PRACTICA 6: MOSFET
OBJETIVOS
Los objetivos de esta práctica son realizar el montaje de un circuito con un dispositivo MOSFET medir su característica de transferencia y su característicaI-V.
FUNDAMENTO TEORICO
El dispositivo MOSFET es un dispositivo de 3 terminales llamados puerta (G), drenador (D) y fuente (S), la corriente que circula entre los terminales de fuente y drenadorse controla a través de la puerta.
Según la naturaleza del MOSFET se distinguen dos clases:
1. NMOSFET
2. PMOSFET
Según a su funcionamiento existen tres modos de funcionamiento dependientesde la relación entre los voltajes de los terminales:
Corte
En este modo el transistor no funciona, es decir, no hay corriente entre la fuente y el drenador y se cumple:
Siendola tensiónumbral del dispositivo.
Lineal
En este estado, el dispositivo funciona ya que se crea un canal entre fuente y drenador que permite la circulación de corriente entre ambos y se cumple:Donde:
1. es la movilidad efectiva de los portadores
2. W es la anchura de la puerta
3. L es su longitud
4. es la capacidad del oxido de la puerta por unidad de area
Saturación
Donde en esteestado el dispositivo también funciona y se cumple:
MATERIAL
En esta práctica se utilizó:
Una placa de montaje de circuitos.
Una fuente de alimentación del aula.
Una resistencia RG de 988Ω.Una resistencia RD de 9870Ω.
Un polímetro digital.
Un circuito integrado 4007 (6 MOSFET) con una tensión umbral de unos 0,7 V.
DESARROLLO, RESULTADOS Y DISCUSION
En esta práctica teníamosque montar dos circuitos, el primero consistía en un transistor MOSFET sin cortocircuitar unido a una resistencia por el drenador y otra resistencia por la puerta, la fuente iría a tierra:
Al aplicarla fuente de alimentación (Vi) con valores de 0V a 5V en saltos de 0,5V y 0.25V al circuito tomamos medidas de la caída de tensión entre el drenador y la fuente, entre la puerta y la fuente y la...
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