Memorias rram y xdr-dram

MEMORIAS RRAM MEMORIAS XDR-DRAM

RRAM (RESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY)
• Estas memorias se basan en la tecnología del uso de memristores. • MEMRISTOR es capaz de retener información sin necesidad de ser alimentado por energía eléctrica, además puede almacenar datos a altas densidades; 100 gigabits / cm2. con velocidades de acceso altísimos.

¿PARA QUÉ SIRVEN LOS MEMRISTORES?
• Paradesarrollar nuevas memorias de estado de sólido: memorias RAM resistivas (RRAM o resistive random-access memory), que si bien no son tan rápidas como las memorias RAM más rápidas sí son más rápidas que las memorias Flash de nuestros pendrive de memoria (que pronto sustituirán a todos los discos duros magnéticos). Este enorme mercado llevará a los memristors a la calle en poco tiempo.

MEMRISTOR

Sucaracterísticas más importante, es la de estar basado en una película ultrafina de oxido de titanio, a la cual, le es inyectada corriente eléctrica para mover átomos y cambiar la resistencia del material. Gracias a este proceso, se puede llegar a almacenar 20 Gb de espacio en tan solo un centímetro cuadrado, en solo tres años de desarrollo con mencionado transistor. Con el tiempo, esta tecnologíadará mas de que hablar, pero parece que promete aun mas, puesto que el potencial recién descubierto, es solo la punta del iceberg.

FABRICACIÓN RRAM La HEWLETT PACKARD investigadores afirman ser ellos los desarrolladores de la idea del uso de los memristors, que se incorporaron a resistencias, condensadores e inductores como el cuarto circuito pasivo cambia la resistencia en respuesta a lacorriente que fluye a través de él. El avance que promete acelerar el desarrollo de chips de prototipo comercial para su RRAM. La UNIVERSIDAD DE MICHIGAN fue la que llevo a cabo la fabricación una memoria RRAM de 1 Kb compuesta de nanomemristores, con una densidad de integración 10 veces mayor que la tecnología actual basada en silicio y una velocidad de proceso mucho más rápida. Estos avances enmemorias RRAM todavía necesitarán varios años para llegar al mercado.

• Un grupo de investigadores de la UNIVERSIDAD DE CALIFORNIA ha logrado integrar estos memristors en memorias de alta densidad y bajo costo, por medio de la utilización de una delgada capa de óxido de Vanadio. • Posee la propiedad de “memorizar” cualquier corriente que circule por él, incluso después que se haya cortado laenergía. Por si fuera poco, el memristor es mucho más rápido que las memorias flash existentes en la actualidad, por lo que podrían reemplazar perfectamente a los discos duros, las memorias RAM y claro, los discos SSD.

• Las diferentes formas de RRAM han sido revelados, basadas en diferentes materiales dieléctricos, la tecnología de mayor rendimiento RRAM, es la que muestra las horas de conexiónde menos de 10 ns y las corrientes de menos de 30 microamperios.
• RRAM tiene el potencial para convertirse en el candidato favorito entre otras memorias no volátiles.

• En un futuro cercano podríamos tener un nuevo tipo de memoria de bajo costo y con una alta densidad.

En un acuerdo con RAMBUS INC. se le otorga licencia a la empresa ELPIDA para la fabricación de la nueva Memoria XDR DRAM,la cual fue la primera empresa en comercializarla.(22 de marzo del 2006) Sucesora de la RDRAM, compite con tecnologías DDR2 y GDDR4 Elimina problemas de alta latencia de las RDRAM. XDR DRAM fue la sucesora de RDRAM

Una de las principales diferencias entre las memorias es de cómo se aumenta el ancho de banda. Distintas formas para aumentar el ancho de banda: XDR DRAM: Aumenta la velocidad delBus haciendo énfasis en el ancho de banda por pin.
Aumenta el número de pines

DDR:

XDR DRAM

A diferencia de otros dispositivos DRAM, el dispositivo XDR DRAM x32 implementa un ancho programable y compatible con los buses de datos que son 16, 8, 4, y en algunos casos 2 bits de ancho. Con esta y muchas otras mejoras de arquitectura, el dispositivo cuenta con una gran eficiencia y...