memristor

Memristor

El memristor fue propuesto en 1971 por Lenon Chua para cerrar el sistema de 4 variables eléctricas mostrado en la sección 2 (figura 2.2), asignándole la relación funcional entre lacarga y el flujo magnético ( φ − Q) y la unidad de resistencia.


Es curioso que sea la unidad de resistencia asignada al memristor, dado que la resistencia proviene de la conductividad del materialen cuestión, y ésta a su vez tiene un componente de velocidad de electrones lo que indica que no se está hablando propiamente de carga sino de corriente. Esta afirmación es apoyada con la opinión delOster [7] donde afirma que un memristor no es un dispositivo controlado propiamente por carga sino que cuenta la carga que pasa por él.
Lo anterior es la primera pista que hace pensar que la relaciónfuncional voltaje –
corriente es la relación mas adecuada para el memristor.
Para comprobar la existencia del memristor por medio de la teoría electromagnética, veremos la interpretaciónelectromagnética propuesta al memristor.

Interpretación electromagnética
Para el análisis hecho en el artículo, sólo se toman dos de las cuatro ecuaciones de Maxwell: la ley de Faraday y la ley deAmpère-Maxwell para su desarrollo y realiza una expansión quasi-estática de estas ecuaciones sustituyendo la variable de tiempo t por una familia de tiempo de la forma


y la ley de Ampère-Maxwell en:De esta forma, se generan sólo los primeros órdenes (α = 0 y α = 1) para el orden cero se tiene:


Y


Mientras que para el orden uno, se tiene


Y

Posteriormente, se definen las variablesde campo eléctrico y magnético como sumas de los dos primeros ordenes de tal forma que

E ≈ E0 + E1 +...

Y
B ≈ B0 + B1 +..

Posteriormente se asume que los órdenes más significativos son losdos primeros y se desprecian los siguientes.
De las ecuaciones 4.3 y 4.5 se pueden definir al campo eléctrico en funciones potenciales escalar y vectorial respectivamente de la siguiente forma...