Mosfet

6.5 MOSFET DE TIPO DECREMENTAL
(6.24)
Las similitudes que hay en la apariencia entre las curvas de transferencia de los JFET y de los MOSFET de tipo decremental permiten un análisis similar de cada uno en el dominio de de. La diferencia más importante entre los dos es el hecho de que el MOSFET de tipo decremental permite puntos de operación con valores positivos de VGS y niveles de ID queexcedan IDss.
De hecho, para todas las configuraciones realizadas hasta ahora, el análisis es el mismo si el JFET se reemplaza por un MOSFET de tipo decremental.
La única parte sin definir en el análisis consiste en la forma de graficar la ecuación de Shockley para los valores positivos de VGS.
¿Qué tan lejos debe extenderse la curva de transferencia en la región de valores positivos de VGS yvalores de ID mayores que IDSS?
Para la mayoría de las situaciones este rango necesario estará bien definido por los parámetros del MOSFET y por la recta de polarización que se obtuvo de la red.
Unos cuantos ejemplos indicarán el impacto del cambio de dispositivo en el análisis obtenido.

Para el MOSFET de tipo decremental de canal-n de la figura determinar

a) IDQ y VGS

b) VDSSolución
a) Para las características de transferencia se define un punto de la gráfica establecido por ID= 1DSS/4=6 mA /4= 1.5 mA y V Gs = V/4 =-3 V/2 =-1.5V.
Al considerar el nivel de Vp y el hecho de quela ecuación de Shockley define una curva que se eleva con mayor rapidez a medida que VGS se hace más positivo, se detalla un punto de la gráfica en VGS=+1 V. Sustituyendo la ecuación de Shockleytenemos

¿Cuántas veces se ha construido una red con cuidado sólo para encontrar que cuando se aplica la potencia, la respuesta es totalmente inesperada y no cumple con los cálculos teóricos? ¿Cuál es el siguiente paso? ¿Se trata de una mala conexión? ¿Se trata de una mala lectura en el código de color de un elemento resistivo o simplemente de un error en el proceso constructivo? Parece muy vasto y amenudo es frustrante el rango de posibilidades. El proceso de localización de fallas que se describió al principio del análisis de las configuraciones a BIT debe cerrar la lista de posibilidades y aislar el área del problema siguiendo un plan de ataque preciso. Por lo general, el proceso se inicia mediante una verificación de la construcción de la red y de las conexiones de las terminales. Luego,se sigue con la verificación de los niveles de voltaje entre las terminales específicas y la tierra, o entre las terminales de la red. Rara vez se miden los niveles de corriente porque estos manejos obligan a modificar la estructura de la red con objeto de insertar el medidor de corriente. Desde luego, una vez obtenidos los niveles de voltaje, pueden calcularse los niveles de la corrienteempleando la ley de Ohm. En cualquier caso, debe tenerse una idea del nivel esperado de un voltaje o la comente para que la medición tenga cierta importancia. Por tanto, el proceso de localización de fallas puede iniciar con cierta esperanza de éxito si se entiende la operación básica de la red junto con algunos valores esperados del voltaje o la corriente. Para el amplificador a JFET de canal-n estáentendido con claridad que el valor estable de VGSQ está limitado a 0 V a un voltaje negativo. Para VGSQ está restringido a los valores negativos en el rango desde 0 V hasta Vp. Si se conecta un voltímetro, con la punta de prueba positiva (normalmente roja) a la entrada y la punta de prueba negativa (normalmente negra) a la fuente, la lectura debe tener un signo negativo y una magnitud de unoscuantos volts. Cualquier otra respuesta tiene que considerarse como sospechosa y debe investigarse .El nivel de VDS normalmente se encuentra entre el 25 y el 75% de VDD.
Una lectura de 0Vpara VDS indica que o bien el circuito está "abierto" o el JFET tiene un corto circuito interno entre el drenaje y la fuente.
Si VD tiene VDD volts, resulta obvio que no existe una caída a través de RD debido a...