Multigate
Páginas: 2 (270 palabras)
Publicado: 20 de febrero de 2015
Dispositivo Multigate
Un MOSFET de doble puerta y símbolo esquemático
Un dispositivo MULTIGATE o puerta múltiple de efecto de campo transistor (MuGFET) se refiere a un MOSFET(metal-óxido-semiconductor de efecto de campo transistor) que incorpora más de una puerta en un solo dispositivo. Las múltiples puertas pueden ser controlados por un solo electrodo de puerta, en el quelas múltiples superficies de puerta actúan eléctricamente como una sola puerta, o por electrodos de puerta independientes. Un dispositivo MULTIGATE empleando electrodos de mandoindependientes a veces se llama un múltiple Independiente Puerta transistor de efecto campo (MIGFET). Transistores MULTIGATE son una de las varias estrategias que están siendo desarrolladas por CMOSsemiconductores a los fabricantes a crear cada vez más pequeños microprocesadores y células de memoria , coloquialmente conocido como extender la Ley de Moore . [ 1 ]
Los esfuerzos dedesarrollo en transistores MULTIGATE han sido reportados por AMD , Hitachi , IBM , Infineon Technologies , Intel Corporation , TSMC , Freescale Semiconductor , Universidad de California, Berkeleyy otros, y la notificación de transacciones internacionales predice que estos dispositivos serán la piedra angular de 32 sub tecnologías nm . [ 2 ] El obstáculo principal para la aplicacióngeneralizada es de fabricación, ya que ambos planos diseños y no planas presentan retos importantes, especialmente con respecto a la litografía y el patrón. Otras estrategiascomplementarias para escalamiento dispositivo incluyen canal de ingeniería cepa , de silicio sobre aislante tecnologías basadas, y high-k / materiales de puerta de metal.
MOSFET de doble compuerta seutilizan comúnmente en los mezcladores de VHF y VHF en amplificadores del extremo frontal sensibles. Están disponibles de fabricantes como Motorola , NXP , y Hitachi . [ 3 ] [ 4 ] [ 5 ]
Un MOSFET de doble puerta y símbolo esquemático
Un dispositivo MULTIGATE o puerta múltiple de efecto de campo transistor (MuGFET) se refiere a un MOSFET(metal-óxido-semiconductor de efecto de campo transistor) que incorpora más de una puerta en un solo dispositivo. Las múltiples puertas pueden ser controlados por un solo electrodo de puerta, en el quelas múltiples superficies de puerta actúan eléctricamente como una sola puerta, o por electrodos de puerta independientes. Un dispositivo MULTIGATE empleando electrodos de mandoindependientes a veces se llama un múltiple Independiente Puerta transistor de efecto campo (MIGFET). Transistores MULTIGATE son una de las varias estrategias que están siendo desarrolladas por CMOSsemiconductores a los fabricantes a crear cada vez más pequeños microprocesadores y células de memoria , coloquialmente conocido como extender la Ley de Moore . [ 1 ]
Los esfuerzos dedesarrollo en transistores MULTIGATE han sido reportados por AMD , Hitachi , IBM , Infineon Technologies , Intel Corporation , TSMC , Freescale Semiconductor , Universidad de California, Berkeleyy otros, y la notificación de transacciones internacionales predice que estos dispositivos serán la piedra angular de 32 sub tecnologías nm . [ 2 ] El obstáculo principal para la aplicacióngeneralizada es de fabricación, ya que ambos planos diseños y no planas presentan retos importantes, especialmente con respecto a la litografía y el patrón. Otras estrategiascomplementarias para escalamiento dispositivo incluyen canal de ingeniería cepa , de silicio sobre aislante tecnologías basadas, y high-k / materiales de puerta de metal.
MOSFET de doble compuerta seutilizan comúnmente en los mezcladores de VHF y VHF en amplificadores del extremo frontal sensibles. Están disponibles de fabricantes como Motorola , NXP , y Hitachi . [ 3 ] [ 4 ] [ 5 ]
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