Peactica De Rtd
Páginas: 5 (1068 palabras)
Publicado: 27 de octubre de 2012
UTPL
Escuela de Electrónica y Telecomunicaciones Práctica de Instrumentación Virtual
INFORME DE LABORATORIO 1: “RTDs” [Byron Ganazhapa]
Fecha: 25/05/2012 Loja – Ecuador
UTPL
Escuela de Electrónica y Telecomunicaciones Práctica de Instrumentación Virtual
1.
MEDICION DE TEMPERATURA: RTD PROBLEMA. Diseñar un circuito con Voltaje de salida lineal a la temperatura con un sensorde temperatura PT100. Parámetro Rango de medición Máximo error permitido Rango de Voltaje de Salida del circuito de acondicionamiento Resolución mínima Valor 10 °C a 90°C 1°C 0 V a 10 V 0.01 °C
Diseñar el circuito para fuentes de alimentación disponibles por el ELVIS 2. PROCEDIMIENTO MATEMATICO Datos del problema Resistencia térmica del RTD, Resistencia térmica del RTD a 0°C, Coeficiente detemperatura,
( ( ( ) )
) ( ( ) )
√
√
(
)(
)
Puente de Winston
R1 Va R3 Vb Vs +
R2
Vcc
Rt
Fig. 1 circuito de alimentación del sensor mediante el puente de Wheatstone.
UTPL
Escuela de Electrónica y Telecomunicaciones Práctica de Instrumentación Virtual
| | | | (
| ) ( )|
(
) (
)
(
)
(
) (
)
En Nuestro instrumenta de mediciónno consta de fuentes de voltajes elevados, para sus análisis practico se considerará un
(
)
*
(
(
) ) ( (
) ( )
)
+
(
)
*
(
) ( ( )
) (
)
+
Acondicionamiento de señal
Tabla 1 Tablas de acondicionamiento de voltajes.
Ecuación de Instrumentación:
UTPL
Escuela de Electrónica y Telecomunicaciones Práctica de Instrumentación VirtualFig. 2 Acondicionamiento de la salida de entada y salida
( (
) )
Amplificador de Instrumentación:
15 V
V1
+ AO1 -15 V
R
R
2R
-15 V
-15 V
2R R R
AO2
V2
15 V
Fig. 3 Circuito de acondicionamiento y amplificación de señales con un amplificador de instrumentación AD620AN
(
)(
)
(
)(
+ + -
Rg
AO3 V01
15 V
VREFERENCIA
)
UTPLEscuela de Electrónica y Telecomunicaciones Práctica de Instrumentación Virtual
( (
) )
Ecuación de Software: ( ( ) ) ( ( ) ) )
(
) (
3.
SIMULACIONES
15V VBB R2 2.672kΩ
7 3 1
Rg 806.3Ω
8
R1 2.672kΩ
U1
6 +
U3
0.000
V
SENSOR PT-100
2
Vcc 15 V R3 100Ω R6 R5 R7
J2
4 5
AD620AN
DC 10MOhm
V_Referencia
R10
R9
R11
VDD -15V
-1.25V103.85Ω 107.7Ω 111.55Ω 119.25Ω 126.95Ω 134.65Ω 10°C 20°C 30°C 50°C 70°C 90°C
Electronics Workbench 801-111 Peter Street Toronto, ON M5V 2H1 (416) 977-5550 Title: Simulacion_RTD_multisim Byron, Ricardo Desc.: Simulacion_RTD_multisim Document No: 0001 Date: 2012-05-20 Sheet 1 of 1 Revision: 1.0 Size: A
Designed by: Checked by: Approved by:
Fig. 4 Circuito de simulación a temperaturasdadas.
Para Temperaturas de ( ) ( )
(
)
UTPL
Escuela de Electrónica y Telecomunicaciones Práctica de Instrumentación Virtual
Fig. 5 Simulación del circuito a 10 °C
Para Temperaturas de ( ) ( )
(
)
Fig. 6 Simulación del circuito a 20 °C
Para Temperaturas de ( ) ( )
(
)
UTPL
Escuela de Electrónica y Telecomunicaciones Práctica de Instrumentación VirtualFig. 7 Simulación del circuito a 30 °C
Para Temperaturas de ( ) ( )
(
)
Fig. 8 Simulación del circuito a 50 °C
Para Temperaturas de ( ) ( )
(
)
UTPL
Escuela de Electrónica y Telecomunicaciones Práctica de Instrumentación Virtual
Fig. 9 Simulación del circuito a 70 °C
Para Temperaturas de ( ) ( )
(
)
Fig. 10 Simulación del circuito a 90 °C
Tabla 2Tabla comparativa de voltajes de salida analíticos y simulados.
Temperatura
Voltaje de salida analítica
Voltaje de salida simulada
UTPL
Escuela de Electrónica y Telecomunicaciones Práctica de Instrumentación Virtual
4.
IMPLEMENTACION REAL
Tabla 3 Tabla comparativa de temperaturas medidas y de referencia.
Temperatura en el multímetro (DT5808)
Voltaje de entrada a la DAQ...
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INFORME DE LABORATORIO 1: “RTDs” [Byron Ganazhapa]
Fecha: 25/05/2012 Loja – Ecuador
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Escuela de Electrónica y Telecomunicaciones Práctica de Instrumentación Virtual
1.
MEDICION DE TEMPERATURA: RTD PROBLEMA. Diseñar un circuito con Voltaje de salida lineal a la temperatura con un sensorde temperatura PT100. Parámetro Rango de medición Máximo error permitido Rango de Voltaje de Salida del circuito de acondicionamiento Resolución mínima Valor 10 °C a 90°C 1°C 0 V a 10 V 0.01 °C
Diseñar el circuito para fuentes de alimentación disponibles por el ELVIS 2. PROCEDIMIENTO MATEMATICO Datos del problema Resistencia térmica del RTD, Resistencia térmica del RTD a 0°C, Coeficiente detemperatura,
( ( ( ) )
) ( ( ) )
√
√
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)
Puente de Winston
R1 Va R3 Vb Vs +
R2
Vcc
Rt
Fig. 1 circuito de alimentación del sensor mediante el puente de Wheatstone.
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En Nuestro instrumenta de mediciónno consta de fuentes de voltajes elevados, para sus análisis practico se considerará un
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Acondicionamiento de señal
Tabla 1 Tablas de acondicionamiento de voltajes.
Ecuación de Instrumentación:
UTPL
Escuela de Electrónica y Telecomunicaciones Práctica de Instrumentación VirtualFig. 2 Acondicionamiento de la salida de entada y salida
( (
) )
Amplificador de Instrumentación:
15 V
V1
+ AO1 -15 V
R
R
2R
-15 V
-15 V
2R R R
AO2
V2
15 V
Fig. 3 Circuito de acondicionamiento y amplificación de señales con un amplificador de instrumentación AD620AN
(
)(
)
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+ + -
Rg
AO3 V01
15 V
VREFERENCIA
)
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) )
Ecuación de Software: ( ( ) ) ( ( ) ) )
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3.
SIMULACIONES
15V VBB R2 2.672kΩ
7 3 1
Rg 806.3Ω
8
R1 2.672kΩ
U1
6 +
U3
0.000
V
SENSOR PT-100
2
Vcc 15 V R3 100Ω R6 R5 R7
J2
4 5
AD620AN
DC 10MOhm
V_Referencia
R10
R9
R11
VDD -15V
-1.25V103.85Ω 107.7Ω 111.55Ω 119.25Ω 126.95Ω 134.65Ω 10°C 20°C 30°C 50°C 70°C 90°C
Electronics Workbench 801-111 Peter Street Toronto, ON M5V 2H1 (416) 977-5550 Title: Simulacion_RTD_multisim Byron, Ricardo Desc.: Simulacion_RTD_multisim Document No: 0001 Date: 2012-05-20 Sheet 1 of 1 Revision: 1.0 Size: A
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Fig. 4 Circuito de simulación a temperaturasdadas.
Para Temperaturas de ( ) ( )
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Fig. 5 Simulación del circuito a 10 °C
Para Temperaturas de ( ) ( )
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Fig. 6 Simulación del circuito a 20 °C
Para Temperaturas de ( ) ( )
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UTPL
Escuela de Electrónica y Telecomunicaciones Práctica de Instrumentación VirtualFig. 7 Simulación del circuito a 30 °C
Para Temperaturas de ( ) ( )
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Fig. 8 Simulación del circuito a 50 °C
Para Temperaturas de ( ) ( )
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Fig. 9 Simulación del circuito a 70 °C
Para Temperaturas de ( ) ( )
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)
Fig. 10 Simulación del circuito a 90 °C
Tabla 2Tabla comparativa de voltajes de salida analíticos y simulados.
Temperatura
Voltaje de salida analítica
Voltaje de salida simulada
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4.
IMPLEMENTACION REAL
Tabla 3 Tabla comparativa de temperaturas medidas y de referencia.
Temperatura en el multímetro (DT5808)
Voltaje de entrada a la DAQ...
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