planatas i ndustriales

UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO
FACULTAD DE ING. CIVIL Y MECÁNICA
CARRERA DE ING. MECÁNICA



INTEGRANTES: PAUL SAILEMA
EDISON TELLOPATRICIO VASQUEZ
ALEX QILUPAQUIN
CURSO: QUINTO «B»
ASIGNATURA: ELECTRONICA INDUSTRIAL

POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR POR REALIMENTACIÓN DEL EMISOR CON DIVISOR DETENSIÓN.
Este circuito es una variante del circuito de polarización por realimentación del emisor. También se lo denomina universal y es el que más se emplea en circuitoslineales de aplicación. En la siguiente figura se indica el esquema correspondiente a un circuito de polarización universal.

Ejercicio
Analizaremos las magnitudes que se danen un circuito para ello resolveremos el siguiente ejercicio, para encontrar el punto aproximado de funcionamiento del transistor.


En el primer paso se va adeterminar la caída de tención que parece en la resistencia de base R2. A esta tención se la conoce por el nombre de tensión de base VB. Para ello vamos a despreciar el pequeñovalor de la corriente de base que atraviesa R1. En este caso, la corriente que fluye por R2 estará delimitada por Vcc y la suma de R1 y R2

Aplicamos la ley de Ohm entrelos extremos de R2 tendremos que:

Sustituyendo este valor en la primera ecuación tendremos que:

Aplicando los valores correspondientes al circuito del ejemploresultara que:

Para calcular la tención VE que parece en el emisor, aplicamos la segunda ley de kirchhoff a la malla correspondiente:
VE=VB-VBE
Dado que estamos trabajando conun transistor de silicio, se puede suponer con aproximación que la tención de polarización directa del diodo emisor-base es de unos 0,7V
VE=1,176-0,7=0,476V