Polarizacion De Transistores

Instituto Técnico Honduras
Asignatura: electrónica II

Alumno: Hernan Jossael Tovar Chávez

Profesor: Luis Ernesto García

Curso: 5

Grupo: IV

Fecha: 19 de mayo del 2012

IntroducciónEl transistor de efecto de campo (FET) es un ejemplo de un transistor unipolar. El FET tiene más similitudes con un transistor bipolar que diferencias. Debido a esto casi todos los tipos depolarización acerca de los transistores bipolares se aplican a los transistores de efecto de campo con ciertas restricciones
En las configuraciones polarizadas precedentes, la comente de polarización ICQ ydel voltaje Vceq eran una función de la ganancia de corriente (b ) del transistor. Sin embargo, ya que b es sensible a la temperatura, especialmente para transistores de silicio, y el valor real de betanormalmente no está bien definido, sería deseable desarrollar un circuito de polarización menos dependiente, de hecho, independiente de la beta del transistor

Polarización por divisor de tensión* Circuito de polarización de base (resistencia en la base).

* Circuito de polarización de emisor (resistencia en emisor).

En este tema analizaremos este último circuito más que ningúnotro.
Las pilas normalmente suelen ser fuentes de alimentación.

Pero es muy caro poner 2 fuentes de alimentación por eso se suele modificarse el circuito de tal forma que solo se usa una fuente dealimentación.
Como se ha dicho ahora nos ahorraremos una fuente de alimentación.

Ahora se mueve lo de la izquierda hacia arriba y como tenemos 10 V en los dos lados se pueden unir:
| |
Y asínos hemos ahorrado una fuente de alimentación, este es el "Circuito de polarización por división de tensión".

Análisis aproximado

Así despreciamos IB:

Ejemplo: Aplicamos valores numéricos alo que hemos hecho.
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Vemos si la aproximación es buena: se tiene que cumplir: | |
Tiene que funcionar bien para los tres valores del catálogo.
catálogo: | |
Para comprobarlo vamos...