polarizacion del transistor bipolar

Universidad Nacional Autónoma de México
Facultad de Ingeniería
Laboratorio de dispositivos y circuitos electrónicos

Práctica 8
“Polarización del transistor bipolar de juntura”
Grupo: 05Integrantes:
Vásquez Ramírez José Ángel
Cruz Cesar Adrián
Fregoso Guadarrama Carlos Rodolfo
Calderón Juárez Pablo
Nombre de profesor: Ing. Javier López Velázquez
Fecha: 18 de Noviembre del 2014Semestre 2015-1



OBJETIVO:

Implementar un circuito de polarización por divisor de voltaje en la base del TBJ.
Además de comprobar los estados de saturación y activa directa del TBJ.INTRODUCCIÓN:

La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la región delemisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de a se acerque mucho hacia la unidad, y por eso,otorgarle al transistor un gran β.
El transistor bipolar de juntura, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y elemisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor está usualmente optimizada para funcionar enmodo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de a y β en modo inverso sean mucho más pequeños que los que se podrían obtener en modo activo; muchas veces el valor de a enmodo inverso es menor a 0.5. La falta de simetría es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor está altamente dopado, mientras que el colector está ligeramentedopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensión de reversa en la juntura colector-base antes de que esta colapse. La juntura colector-base está polarizada en reversa durante la operación...