Practica En Un Diodo
Páginas: 3 (658 palabras)
Publicado: 27 de noviembre de 2012
Practica I. “Pruebas Eléctricas del Diodo”
Objetivo: Analizar las características de los diodos utilizando las hojas de datos.
Conocer los parámetros y características eléctricas del Diodosemiconductor.
Realizar pruebas de continuidad en el diodo semiconductor de uso general.
Material y Equipo:
1 Diodo de uso general.
Hoja de datos del Diodo.
Multimetro digital o analógico.
1 pilaalcalina de 3 volts.
1 resistor de 120Ω ½ Watt.
Marco Teórico:
Procedimiento y Desarrollo:
Realizar el circuito mostrado en la fig 1.
Autoevaluación:
1. El número atómico del Silicio es:d) 14
2. El número atómico del Germanio es:
Ninguno, el número atómico es 32
3. Los electrones de valencia:
b) Estan en la órbita más distante del núcleo.
4. La banda energética enque se encuentran los electrones libres es la:
c) Banda de conducción.
5. El proceso de agregar una impureza a un semiconductor intrínseco se denomina:
a) Dopado.
6. Una impureza trivalente seañade al Silicio para obtener:
b) Un semiconductor tipo P.
7. El objetivo de una impureza pentavalente es:
c) Incrementar el número de electrones libres.
8. Los aportadores mayoritarios en unmaterial tipo N son:
b) Electrones de valencia.
9. Los huecos en un semiconductor tipo N son:
a) Portadores minoritarios producidos térmicamente.
10. El término polarización significa:
c) Unvoltaje de CD aplicado para controlar la operación de un dispositivo.
11. Para polarizar en directa un diodo tipo PN:
d) a) y c)
12. Para un Diodo de Silicio, el valor de la polarización endirecta casi siempre:
b) Debe ser mayor que 0.7 Volt.
13. Describir los términos:
Corriente Inversa de Saturación. Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por laformación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10º en la temperatura.
Corriente Superficial de Fuga. Esta es una corriente continua...
Objetivo: Analizar las características de los diodos utilizando las hojas de datos.
Conocer los parámetros y características eléctricas del Diodosemiconductor.
Realizar pruebas de continuidad en el diodo semiconductor de uso general.
Material y Equipo:
1 Diodo de uso general.
Hoja de datos del Diodo.
Multimetro digital o analógico.
1 pilaalcalina de 3 volts.
1 resistor de 120Ω ½ Watt.
Marco Teórico:
Procedimiento y Desarrollo:
Realizar el circuito mostrado en la fig 1.
Autoevaluación:
1. El número atómico del Silicio es:d) 14
2. El número atómico del Germanio es:
Ninguno, el número atómico es 32
3. Los electrones de valencia:
b) Estan en la órbita más distante del núcleo.
4. La banda energética enque se encuentran los electrones libres es la:
c) Banda de conducción.
5. El proceso de agregar una impureza a un semiconductor intrínseco se denomina:
a) Dopado.
6. Una impureza trivalente seañade al Silicio para obtener:
b) Un semiconductor tipo P.
7. El objetivo de una impureza pentavalente es:
c) Incrementar el número de electrones libres.
8. Los aportadores mayoritarios en unmaterial tipo N son:
b) Electrones de valencia.
9. Los huecos en un semiconductor tipo N son:
a) Portadores minoritarios producidos térmicamente.
10. El término polarización significa:
c) Unvoltaje de CD aplicado para controlar la operación de un dispositivo.
11. Para polarizar en directa un diodo tipo PN:
d) a) y c)
12. Para un Diodo de Silicio, el valor de la polarización endirecta casi siempre:
b) Debe ser mayor que 0.7 Volt.
13. Describir los términos:
Corriente Inversa de Saturación. Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por laformación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10º en la temperatura.
Corriente Superficial de Fuga. Esta es una corriente continua...
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