Practica1 De logica digital

UNIVERSIDAD DE CARABOBO
FACULTAD DE INGENIERIA
LABORATORIO DE ELECTRONICA II

Nombre: Gabriela Ghini, Alexander Barreto C. I.: 22.556.086, 23.431.449 Sec: 04


TRABAJO PRÁCTICO N° 1.
Polarización del Transistor BJT

CUESTIONARIO

1. Justificar por qué un cambio de  provoca un desplazamiento del punto de trabajo.

Un aumento de β provoca un aumento de Ic, esto provoca un aumento de Ve. Deexistir Rb se produce una disminución de tensión en esta, por lo tanto Ib va a disminuir para compensar el aumento de β por lo tanto se desplaza ligeramente el punto Q el cual depende de Ic (βIb) y Vce, Q= (Ic, Vce).

2. Determine la zona de operación del transistor fijando el rango de variación de las variables de salida. ¿Qué variable y con qué valor determina la saturación del transistor?

Lavariable que determina la saturación del transistor es Vce=0.

¿Y el corte del transistor?

La determina la corriente de colector y esta debe valer cero (Ic=0).

3. ¿Por qué las condiciones de corte y saturación determinan la recta de carga para un circuito concreto?

Las dos condiciones que determinan la recta de carga son Vce=0 e Ic=0, Cualquier variación de la corriente base provocara variacionesde Ic entre 0 y Vcc/Rc, dicho de otra forma cada valor de Ib lleva asociado un par de valores de Ic y Vce.

4. ¿Por qué es inestable la polarización fija?

Como en condiciones normales Vce>>Vbe las posibles variaciones de Vbe ( El cual depende de la temperatura) afectaran muy ligeramente a Ib, que está determinada por Rb y será prácticamente ctte, por lo que un cambio de β provocara undesplazamiento del punto de trabajo. La aplicación de estos circuitos se limita a transistores que trabajan como conmutadores (en corte o saturación).

5. Exponer en forma resumida el comportamiento del circuito, de polarización fija y de auto polarización, ante un posible incremento de .

En el circuito de polarización fija un cambio de β provoca el desplazamiento del punto de trabajo Q.
Si en el circuitode auto polarización β aumenta es poco probable que cambie su polarización y siga en auto polarización directa debido a Re.













PROBLEMAS

Problema N.1:
En el siguiente circuito considere los siguientes datos: Ra = 47 kΩ; Rb = 33 kΩ; Re = 1,5 kΩ; VCC = 20 V; hFE = 150; VBE = 0,7 V

a) Estime VSal considerando despreciable la corriente de base (IB).
VSal = 7,54 V
b) Calcule VSal sindespreciar la corriente de base (IB).
VSal = 6,95 V
c) Determine hFEmín necesario que asegure un error menor del 1% en el cálculo de VSal.
hFEmín=
Problema N. 2:
Para el siguiente circuito:


a) Polarice el transistor para IC = 5 mA, VCE = 4 V, considerando que: hFE = 150


b) Determine el punto de funcionamiento estático para los siguientes valores del hFE:

hFEMín = 100
hFEMáx = 300
Estado de Q
IC= 3,33 mA
IC = 10 mA
Activo
VCE= 9,34 V
VCE= -12 V
Saturacion


PRÁCTICA DE LABORATORIO Nº 1

Objetivos:
- Estudio de la polarización.
- Estudio de la estabilidad de la polarización.
- Rectas de carga estática y dinámica.

Preparación Previa:
1. Polarización Fija. Determine la polarización del transistor de la Figura 1.
Datos: Ra= 470 kΩ, Rc= 1 kΩ, VCC=12V, hFE =180.







Cambiando Ra por 820kΩ





2. Verifique los resultados anteriores, utilizando el programa “Orcad-Spice”.

Revisar Anexos:

Simulación #1 para Ra= 470 kΩ
Simulación #2 para Ra=820 kΩ



3. Auto polarización. Determine la polarización del transistor de la Figura 2.
Datos: Ra= 22 kΩ, Rb = 18 KΩ, Rc= 1 kΩ, Re = 1 kΩ, VCC=12V, hFE =180.


IC =
2,7 mA
VCE=
6,1 V




Cambiando Rc por 470 Ω
IC =
1,6 mA
VCE=
6,7 V

4.Verifique los resultados anteriores, utilizando el programa “Orcad-Spice”.

Revisar Anexos:
Simulación #3 para Rc= 1 kΩ
Simulación #4 para Rc= 470 Ω

5. Obtenga el valor de la posible variación para la corriente del colector del circuito de la figura 2, ∆IC, utilizando la siguiente ecuación y verificando los parámetros con las características dadas por el fabricante.
6.
∆IC =




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