Pratik

UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE
FACULTAD DE INFORMATICA Y ELECTRONICA

DPTO: ELECTRONICA Y BIOINGENIERIA

ELECTRONICA BASICA I

GUIA PRACTICA DE LABORATORIO

Título de la Practica
PRACTICA PRACTICA PRACTICA PRACTICA PRACTICA PRACTICA PRACTICA PRACTICA PRACTICA 01 CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO 02 RECTIFICACIÓN DE ½ ONDA Y FILTRADO 03 RECTIFICACIÓN DE ONDA COMPLETA Y FILTRADO 04 RELACIÓNVCE-iC EN EL TRANSISTOR 05 INVERSOR BJT 06 SEGUIDOR DE VOLTAJE BJT 07 AMPLIFICADOR EMISOR COMÚN BJT 08 CONFIGURACIÓN CASCODE BJT 09 AMP. EMISOR COMÚN BJT CON RESISTENCIA DE EMISOR

UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE SERVICIOS DE LABORATORIO. ASIGNATURA: ELECTRÓNICA BASICA I PRACTICA Nº 1 CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO 1. CONOCIMIENTO TEÓRICO REQUERIDO. El alumno debe conocer el funcionamientoteórico del diodo y las relaciones tensión corriente entre sus terminales, deberá conocer la ecuación de corriente del diodo en función de la tensión aplicada al mismo. 2. OBJETIVO DE APRENDIZAJE: El estudiante deberá ser capaz de: Conocer el comportamiento de un diodo de silicio real al obtener su curva característica.

NOTA.- Para realizar el presente laboratorio deberá obtener el valor de lacorriente inversa de saturación del diodo de la hoja de datos del diodo a utilizar, del mismo modo deberá memorizar cual es el ánodo y cual el cátodo del mismo

+12 V

3. MATERIALES Y EQUIPOS. 1 1 1 1 1 1 Multímetro. Breadboard. Diodo de silicio 1N4001 Resistencia de 1K Potenciómetro de 1K Fuente de alimentación
R1 Rv 1 K

VD

Vi

1k

iD

D

fig.1 Diagrama Esquematico del circuito
4.PROCEDIMIENTO.

EXPERIENCIA Nº 1.1. Sobre el circuito de la fig.1, emplear el potenciómetro Rv de modo que el voltaje de entrada al circuito constituido por el diodo y la resistencia R1: Vi varie desde 0V hasta 1V cada 0.1V, de 1,2V a 3V cada 0,2 V y luego cada 0,5 volts hasta llegar a los 12 volts. con el objetivo de tomar N diferentes muestras. Con estos voltajes de entrada, medir el voltaje yla corriente sobre el diodo (V D y iD) para construir una tabla con estos valores: N Vi VD ID

EXPERIENCIA Nº 1.2. Repetir la 1ra. Parte con la polaridad del diodo invertida.

EXPERIENCIA Nº 1.3. Empleando los datos obtenidos anteriormente, realizar una grafica de la curva característica del diodo (Empleando papel milimetrado o en un computador).

5. CUESTIONARIO. ¿Cuál es la relacióntensión corriente en el diodo de unión? ¿Cuál es la diferencia entre un diodo de Silicio y uno de Germanio en cuanto a la corriente de fugas? ¿La caída de voltaje en un diodo en conducción aumenta o disminuye cuando aumenta la temperatura? 6. TIEMPO DE DURACIÓN DE LA PRÁCTICA: 100 minutos

UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE SERVICIOS DE LABORATORIO. ASIGNATURA: ELECTRÓNICA BASICA I PRACTICA Nº 2RECTIFICACIÓN DE ½ ONDA Y FILTRADO 1. CONOCIMIENTO TEÓRICO REQUERIDO. El alumno debe conocer la teoría de funcionamiento de un rectificador de ½ onda y del filtro con capacitor 2. OBJETIVO DE APRENDIZAJE: El estudiante deberá ser capaz de: Estudiar el funcionamiento de un rectificador de ½ onda. Entender los efectos producidos por el filtrado sobre el voltaje en la carga rectificador. 3. MATERIALES YEQUIPOS. 1 Osciloscopio 1 Generador de Señal 1 Transformador 220V ac : 12V ac. 1 Diodo 1N4001 1 Resistencia de 1K Ω 4. PROCEDIMIENTO. EXPERIENCIA Nº 2.1. Para el rectificador de media onda mostrado en la figura 1. con un voltaje de entrada
Vi
D 1N4007 RL 1k

y en el

diodo

VL

fig.1 Diagrama Esquematico del circuito

Vi= 5·sen (628.32 · t ) Calcular el voltaje de salida VL teniendo encuenta que se trata de un diodo de Silicio y dibujar la forma de onda de salida esperada

Emplear el circuito de rectificador de ½ onda que se muestra en la figura nº1 con un voltaje de entrada (Vi) producido por un generador de onda senoidal que obedece a la ecuación mencionada anteriormente.

Sobre este circuito y empleando un osciloscopio, obtener las graficas de voltaje de entrada Vi y el...