Procesos De Fabricación De Circuitos Integrados

PROCESOS DE FABRICACIÓN DE CIRCUITOS INTEGRADOS

Procesos planares
CI están construidos en un único cristal de Silicio ≡ Monolítico
Mono ≡ Uno Litos ≡ Piedra
Integrado ≡ Todos los componentes decircuito y sus interconexiones están fabricados como una entidad única.
La diversidad de procesos de fabricación se realizan a través de superposición de planos ≡
Tecnología planar.
Ejemplo:Capas: Regiones impurificadas con portadores p o n (capas de Silicio) Dióxido de Silicio (capa de óxido) metalizaciones.
Capas de Silicio: Forman los elementos del dispositivo y el substrato.
Regionesde silicio se usan también para aislar un componente de otro.
Procesos usados para formar las capas de Silicio: Epitaxia, difusión, e implantación de iones.
Capa de óxido:
Protege la superficiedel chip de contaminantes externos
Permite seleccionar regiones que van a impurificarse con portadores p o n
El óxido se quita de estas regiones atacándolo químicamente, dejando sin proteger regionesdel Si donde se van a formar las regiones p o n.
Las regiones que van a ser atacadas se definen con técnicas fotolitográficas
Capa metálica:
Se utiliza para hacer el interconexionado, normalmentese obtiene por deposición de vapor de Al sobre la superficie del chip.
La fotolitografía se usa para obtener las plantillas de las zonas de interconexionado.
El ataque químico suprime las zonas de Alno deseadas.
Procesos Planares
1) Crecimiento del cristal de la oblea
2) Crecimiento epitaxial
3) Oxidación
4) Fotolitografía y ataque químico
5) Difusión
6) Implantación de iones
7)Metalización
1) Crecimiento del cristal de Silicio
Técnica de Czochralski
Crisol de Silicio fundido al que se añaden impurezas p

2) Crecimiento epitaxial
Epitaxia del griego Epis: capas, taxis:ordenadas.
Se utiliza para crecer una capa de Si como extensión de la oblea de cristal existente del mismo material.
Una capa epitaxial de tipo n se crece sobre un substrato de tipo p y el número de...