Procesos que pueden intervenir en la fabricación de circuitos integrados
Páginas: 2 (479 palabras)
Publicado: 9 de octubre de 2014
Procesos que pueden intervenir en la fabricación de circuitos integrados.
En la fabricación de circuitos integrados intervienen varios procesos, los cuales son:
Crecimiento epitaxial: La epitaxiase refiere a la deposición de una sobrecapa cristalina en un sustrato cristalino, donde hay registro entre la sobrecapa y el sustrato. Mediante esta técnica se puede controlar de forma muy precisa elnivel de impurezas en el semiconductor, que son los que definen su carácter (N o P). Para hacer esto se calienta el semiconductor hasta casi su punto de fusión y se pone en contacto con el materialde base para que, al enfriarse, recristalice con la estructura adecuada.
Oxidación en semiconductores: Es uno de los procesos básicos en la fabricación de circuitos integrados. Su principal desventajaes el consumo del sustrato que lo compensa con la obtención de un óxido de mayor calidad. Otra característica es que solo puede utilizarse al principio del proceso de fabricación. La forma más usadaes la oxidación térmica, que puede realizarse mediante oxidación húmeda (con vapor de agua) o oxidación seca (con oxigeno puro), esta segunda es de mayor calidad.
Implantación iónica: Este procesotrata sobre el cambio de las propiedades de distintos materiales mediante la implantación de iones de un material a otro. Esto es utilizado entre otras cosas para la fabricación de dispositivossemiconductores necesarios para la fabricación de circuitos integrados.
Difusión en estado sólido: Era una técnica muy empleada en los años 1970 para definir el tipo de un semiconductor. Hoy en día se usa deforma diferente. Consiste en la inserción de átomos dopantes dentro del semiconductor debido a la alta temperatura a que éste es sometido. Con ello se consigue un perfil en la concentración dedopantes que disminuye proporcionalmente. Dos tipos: Por concentración constante en superficie y por concentración constante total.
Deposición en semiconductores: Proceso por el cual se crea una nueva...
En la fabricación de circuitos integrados intervienen varios procesos, los cuales son:
Crecimiento epitaxial: La epitaxiase refiere a la deposición de una sobrecapa cristalina en un sustrato cristalino, donde hay registro entre la sobrecapa y el sustrato. Mediante esta técnica se puede controlar de forma muy precisa elnivel de impurezas en el semiconductor, que son los que definen su carácter (N o P). Para hacer esto se calienta el semiconductor hasta casi su punto de fusión y se pone en contacto con el materialde base para que, al enfriarse, recristalice con la estructura adecuada.
Oxidación en semiconductores: Es uno de los procesos básicos en la fabricación de circuitos integrados. Su principal desventajaes el consumo del sustrato que lo compensa con la obtención de un óxido de mayor calidad. Otra característica es que solo puede utilizarse al principio del proceso de fabricación. La forma más usadaes la oxidación térmica, que puede realizarse mediante oxidación húmeda (con vapor de agua) o oxidación seca (con oxigeno puro), esta segunda es de mayor calidad.
Implantación iónica: Este procesotrata sobre el cambio de las propiedades de distintos materiales mediante la implantación de iones de un material a otro. Esto es utilizado entre otras cosas para la fabricación de dispositivossemiconductores necesarios para la fabricación de circuitos integrados.
Difusión en estado sólido: Era una técnica muy empleada en los años 1970 para definir el tipo de un semiconductor. Hoy en día se usa deforma diferente. Consiste en la inserción de átomos dopantes dentro del semiconductor debido a la alta temperatura a que éste es sometido. Con ello se consigue un perfil en la concentración dedopantes que disminuye proporcionalmente. Dos tipos: Por concentración constante en superficie y por concentración constante total.
Deposición en semiconductores: Proceso por el cual se crea una nueva...
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