profesora

Daniel Torres Exp: 2009203295
Comprobación de los cálculos
Los cálculos hechos en clases no arrojaban: Ic=Ie=10ma y Vbc=6, para un circuito con las características del que se encuentra en elsimulador.

Observamos como la corriente del colector nos exactamente igual a la corriente del emisor esto debido a la sumatoria de corriente en el transistor Ie=Ic+Ib aunque en los cálculosdespreciamos la corriente de base por ser muy pequeña en comparación a la corriente del colector para simplificar los cálculos, el simulador no lo hacer por ello vemos una diferencia en las corrientes.Cambiar Re a la mitad
La idea es variar el valor de la resistencia y observar si el valor de la corriente en el emisor varía con esta de forma lineal. En la siguiente imagen Re es la mitadde lo que era en la imagen anterior y la corriente en el emisor aumento el doble.








Se podría pensar que la relación corriente emisor y resistencia de emisor es lineal pero si nosfijamos en la siguiente imagen vemos que la mitad de Re no duplica la corriente.

Si volvemos a colocar la mitad de Re vemos que Ie no se duplica pero si aumenta.

Ya que Ie= (Vcc-Vbe) / Re y Vbe noes un factor lineal, la conexión base-emisor se comporta como un diodo que no es un componente lineal por lo que la tampoco lo es.

Comprobación si Re=0.143 ohmios entonces Ie=30maSaturación del transistor
Si hacemos Vbc=0 en Vcc=Vbc-Ic*Rc y despejamos la resistencia nos da un valor de Rc=1k ohmios para que el transistor se encuentre en la región de saturación.


Dela imagen que Vbc=0.2v es el valor en el que la mayoría de los transistores trabajan en saturación. El simulador por estar apegado a los cálculos reales nos da esta medición precisa.





Regiónactiva inversa de un transistor



 Corresponde a una polarización inversa de la unión emisor - base y a una polarización directa de la unión colector – base

Al invertir las condiciones de...