Prueba

Arquitectura de Memoria

Ing. Erick Enrique Blanco Acevedo

E. Blanco

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Arquitectura de Computadores

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FPM La tecnología RAM, es asíncrona, trabaja con buses de sistema inferiores a los 66MHz y su velocidad de acceso varía entre los 60 y 80 nanosegundos. Kilo Multiplicador que indica un millar de alguna unidad. Se abrevia K|. Cuando se utiliza para indicar unnúmero de bytes, la definición cambia por 1,024. Kilobyte (Kb) Unidad de almacenamiento de información equivalente a 1,024 bytes. Localidad de memoria Una “localidad” de memoria físicamente corresponde a uno de los siguientes dos elementos semiconductores (de aquí el nombre de memoria de semiconductor): un Flip-Flop o un Capacitor.
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Hz Abreviatura de hertz, unidad de medición de frecuencia utilizada internacionalmente para indicar un ciclo por segundo. Interleaving Técnica usada para acelerar la velocidad de transferencia de datos entre la memoria y el procesador y consiste en dividir lógicamente a la memoria RAM en múltiples bloques independientes, de esta manera el procesador puede hacer operaciones simultáneas eindependientes sobre cada uno de ellos. MHz Abreviatura de megahertz. Unidad de medida para indicar la frecuencia de un millón de ciclos por segundo. Mega Multiplicador que indica un millón de alguna unidad. Se abrevia m o M. Cuando se utiliza para indicar una cantidad de bytes de almacenamiento de memoria, la definición del multiplicador cambia por 1,048,576
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Megabyte Unidad de almacenamiento de información equivalente a 1,048,576 BYTES. Memoria Componente en un sistema de computadora capaz de almacenar información en forma temporal o permanente, para uso posterior. Memoria de semiconductor Es aquel tipo de memorias que basan su funcionamiento en un conjunto de elementos de almacenamiento que pueden ser flip-flops,capacitores o cualquier otro elemento capaz de retener energía o carga eléctrica. Memorias magnéticas Son aquel tipo de memorias que almacenan la información a partir de un núcleo magnético, el cual está basado en un anillo de material ferromagnético, por cuyo centro pasa un alambre al cual se le aplica un pulso de corriente; éste genera un flujo magnético, la dirección que toma este flujo depende de ladirección de la corriente aplicada al alambre, esta situación se aprovecha para representar los dos estados lógicos requeridos: 0 y 1.
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Memorias ópticas La operación de las memorias ópticas está basada en la reflexión o dispersión de un haz de láser que pasa por la superficie de un disco, que tiene huecos o burbujas microscópicas,las cuales conforman niveles lógicos sobre esta superficie. Memoria RAM Memoria de acceso aleatorio, es toda aquella memoria accesible por el microprocesador en cualquier instante (en forma aleatoria). Memoria ROM Memoria de sólo lectura, es aquel tipo de memoria que tiene valores grabados en forma permanente o semipermanente. Estas localidades de memoria se usan para mantener programas o datosrelevantes que deben estar disponibles para la computadora al momento del encendido.
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Memoria Flash Es un tipo de EEPROM desarrollado por Intel que puede borrarse y programarse en el circuito que la contenga, a velocidades considerablemente rápidas. Memoria extendida Memoria adicional que utiliza una computadora para intercambiardatos dentro y fuera de un segmento reservado de un área de memoria estándar. Con la memoria expandida, la memoria adicional se agrega a la computadora en forma de chips de memoria o de una tarjeta de memoria. Para tener acceso a esta memoria adicional, un administrador de memoria expandida reserva 64Kb de los 640Kb de memoria estándar como área de intercambio. Memoria expandida Se le llama así...