PUT Y UJT










Informe de Práctica № 1-2
(Transistor PUT, UJT)















CARACAS, 15 MARZO DEL 2013
INTRODUCCIÓN

Con la siguiente práctica se quiere realizar las comparaciones entre la teoría y la práctica de los transistores UJT y PUT para esto se debió realizar una investigación previa acerca de estos dispositivos electrónicos para así llevar a cabo estosconocimientos a la práctica y corroborar su funcionamiento así como sus valores obtenidos en la teoría.
Los principales puntos o aspectos a corroborar son, tiempo de disparo de los dispositivos, señales obtenidas, voltaje necesario para accionar el dispositivo.
Para esto es necesario el montaje de los respectivos circuitos y de esta manera poder evaluar el comportamiento de los mismos y obtenerlos valores necesarios para la comparación teórica-practica.















PARTE TEÓRICA

Transistor UJT
Es un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor (), base uno () y base dos (). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales , en la que se difunde una región tipo P+, el emisor, en algúnpunto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.
Características
Fijándose en la curva característica del UJT se puede notar que cuando el voltaje sobrepasa un valor de ruptura, el UJT presenta un fenómeno de modulación de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, laresistencia de esta baja y por ello, también baja el voltaje en el dispositivo, esta región se llama región de resistencia negativa, este es un proceso realimentado positivamente, por lo que esta región no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajación.

Figura №1
Curva característica UJT.




Operación del UJT

ElUJT se polariza normalmente según se vé en su curva de polarización. La base se lleva a una tensión positiva (5V≤VBB≤30V). Por la resistencia circula entonces una corriente:

El cátodo del diodo emisor se encuentra a una tensión:

El diodo puede presentar una polarización inversa si es inferior a por lo que se presentará una corriente de fuga muy pequeña. Por otro lado si es superior, el diodoqueda polarizado directamente y por ende circula una corriente formada por portadores minoritarios que son depositados en. Esta se anula disminuyendo su valor; por esto la tensión disminuye también, ahora si bien si es constante, debe aumentar, lo que disminuye aún más a.


Transistor PUT

Es un semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es similar al del UJT. Es un tipo detiristor y a veces se le llama “tiristor disparado por ánodo” debido a su configuración. Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base de tiempos, pero es más flexible, ya que la compuerta se conecta a un divisor de tensión que permita variar la frecuencia del oscilador sin modificar la constante de tiempo RC.

Funcionamiento del PUT

Si el PUT está polarizado directamente y aplicamos Vag=0.7 V, entra en conducción. El PUT permanece encendido hasta que el voltaje anódico es insuficiente, entonces, se apaga. El apagado se debe a que la corriente anódica llega un valor ligeramente menor a la corriente de sostenimiento.

Es un dispositivo de disparo ánodo-puerta (ánodo-compuerta) puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tensión más negativa que el ánodo, esdecir, la conducción del PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales. Si el PUT es utilizado como oscilador de relajación, el voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentación mediante el divisor resistivo del voltaje RB1 y RB2, y determina el voltaje de disparo Vp. En el caso del UJT, Vp está fijado por el voltaje de alimentación, pero en un PUT puede variar al modificar el...