Química En La Ingenieria Aplicaciones

APILCACIONES DE LA QUÍMICA EN LA INGENIERÍA

1. Temas de la conferencia:
2. Química del Silicio
3. Contaminación atmosférica
4. Química de la combustión
5. Corrosión

QUÍMICA DEL SILICIO:
Importancia en los circuitos integrados.
El silicio es un elemento químico metaloide, número atómico 14 y situado en el grupo 4 de la tabla periódica de los elementos formando parte dela familia de los carbono ideos de símbolo Si.
Se presenta en forma amorfa y cristalizada; el primero es un polvo parduzco, más activo que la variante cristalina, que se presenta en octaedros de color azul grisáceo y brillo metálico.
No existe en estado libre, sino que se encuentra en forma de dióxido de silicio y de silicatos complejos.

METALIOIDE | Características: |
| No es buenconductorConductor y aislanteEléctrico como metalColor gris oscuro azuladoDensidad: 2,330 kg/m3Masa atómica: 0.28 g/molNúmero atómico: 14Configuración electrónica [Ne] 3s23p2Cuarta familiaNúmero 3, periodo 3Punto de fusión: 1687 K |

Familia 4:
Sus propiedades son intermedias entre los metales y los no metales. No hay una forma unívoca de distinguir los metaloides de los metales verdaderos, perogeneralmente se diferencian en que los metaloides son semiconductores antes que conductores.
Son considerados metaloides los siguientes elementos:
* Boro (B)
* Silicio (Si)
* Germanio (Ge)
* Arsénico (As)
* Antimonio (Sb)
* Telurio (Te)
* Polonio (Po)

Dentro de la tabla periódica los metaloides se encuentran en línea diagonal desde el boro al polonio. Los elementosque se encuentran encima a la derecha son no metales, y los que se encuentran debajo a la izquierda son metales.
* C
* Si Aumenta el carácter
* Ge metálico
* Sn
* Pb
Método de Czochralaki
El método de Czochralski consiste en un procedimiento para la obtención de lingotes mono cristalinos, es utilizadopara la obtención de silicio monocristalino mediante un cristal semilla depositado por un baño de silicio. Es de amplio uso en la industria electrónica para la obtención de wafers u obleas, destinadas a la fabricación de transistores y circuitos integrados.
El método consiste en tener un crisol que contiene el semiconductor fundido, por ejemplo germanio. La temperatura se controla para que estéjustamente por encima del punto de fusión y no empiece a solidificarse. En el crisol se introduce una varilla que gira lentamente y tiene en su extremo un pequeño mono cristal del mismo semiconductor que actúa como semilla. Al contacto con la superficie del semiconductor fundido, éste se agrega a la semilla, solidificándose con su red cristalina orientada de la misma forma que aquella, con lo que elmono cristal crece. La varilla se va elevando y, colgando de ella, se va formando un mono cristal cilíndrico. Finalmente se separa el lingote de la varilla y pasa a la fusión por zonas para purificarlo.
El grosor del lingote depende del control de temperatura y la velocidad de la varilla. Cuando la temperatura asciende, el propio lingote se va fundiendo, pero si desciende, se forman agregados queno son mono cristalinos.
Aplicaciones:
Chips, circuitos integrados, Diodos de emisión de luz (LED’s), conversión de energía solar (tipo N y tipo P).
Los tipos N tiene mayor conductividad al silicio (cambia) y los tipos P son los de la tercera familia + el silicio y hacen diferencia de electrones.

CONTAMINACIÓN ATMOSFÉRICA:
Importancia para la humanidad.
La contaminación atmosférica,puede provenir de un número de fuentes ocultas.
Las partículas de los gases de escape, incendios forestales, quemar llantas y otros tipos de combustión, junto con los gases nocivos como el monóxido de carbono, óxidos de nitrógeno, dióxido de azufre, y los vapores químicos, constituyen las partículas que contaminan nuestro aire.
Se habló en la conferencia las consecuencias de quemar llantas lo...