Rafa







Profesor: Arnelio Segovia
Tema: transistores bipolares
Alumno: Rafael Alfredo Rodríguez Hernández
Grado: 2° técnico “B”
Opción: electrónica industrial
N° de lista: 10
Fecha de entrega: 30/07/2015




Introducción


El transistor es un nuevo componente utilizado en las prácticas de electrónica. Este es un dispositivo semiconductor de tres terminales y que se utiliza para una variedadde funciones de control en los circuitos electrónicos.
Entre alguna de las funciones podemos incluir la amplificación, oscilación, conmutación y la conversión de frecuencias. En el reporte siguiente podremos ver los elementos de un transistor, las ventajas de la utilización de los transistores electrónicos, los tipos de transistores, como realizar un test en un transistor, aplicaciones de lostransistores y sus encapsulados o materiales que están compuestos.








OBJETIVO GENERAL


Conocer como se componen los transistores teniendo como ayuda manuales y documentación de estos para su análisis de medición.




OBJETIVOS ESPECIFICOS

Identificar los terminales de un transistor bipolar.

Con la utilización de instrumentos de medición electrónica, determinar las terminales para transistoresNPN o PNP.

Conocer sus aplicaciones en componentes para electrónica así como conocer su documentación.





Marco histórico




Replica del primer transistor


El transistor bipolar fue inventado en Diciembre de 1947 en el Bell Telephone Laboratories por John Bardeen y Walter Brattain bajo la dirección de William Shockley. La versión de juntura, inventada por Shockley en 1948, fue durante tresdécadas el dispositivo favorito en diseño de circuitos discretos e integrados. Hoy en día, el uso de TBJ ha declinado en favor de la tecnología CMOS para el diseño de circuitos digitales integrados.


DESCRIPCIÓN

Simbología. Convenio de tensiones y corrientes

El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor, colector y base-, que, atendiendo a su fabricación, puede ser de dostipos: NPN y PNP. En la figura 1 se encuentran los símbolos de circuito y nomenclatura de sus terminales. La forma de distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP es observando la flecha del terminal de emisor. En un NPN esta flecha apunta hacia fuera del transistor; en un PNP la flecha apunta hacia dentro. Además, en funcionamiento normal, dicha flecha indica el sentido de la corriente quecircula por el emisor del transistor.

colector
C
base B
emisor E
Transistor tipo NPN Transistor tipo PNP


Estructura física

El transistor bipolar es un dispositivo formado por tres regiones semiconductoras, entre las cuales se forman unas uniones (uniones PN). En la figura 4 observamos el aspecto útil para análisis de un transistor bipolar. Siempre se ha de cumplir que el dopaje de lasregiones sea alterno, es decir, si el emisor es tipo P, entonces la base será tipo N y el colector tipo P. Esta estructura da lugar a un transistor bipolar tipo PNP. Si el emisor es tipo N, entonces la base será P y el colector N, dando lugar a un transistor bipolar tipo NPN.



Figura 4. Estructura de un TRT bipolar

El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el 1, de forma quese obtengan las Colector Emisor Base cual se difunden impurezas
tres regiones antes mencionadas. En la figura 5 vemos el aspecto típico de un transistor bipolar real, de los que se encuentran en cualquier circuito integrado. Sobre una base n (substrato que actúa como colector), se difunden regiones p y n+, en las que se ponen los contactos de emisor y base.

Es de señalar que las dimensionesreales del dispositivo son Figura 5. Estructura real de un TRT muy importantes para el correcto funcionamiento del mismo.
Obsérvese la figura 6, en ella se pretende dar una idea de las relaciones de tamaño que deben existir entre las tres regiones para que el dispositivo cumpla su misión.

El emisor ha de ser una región muy dopada (de ahí la indicación p+). Cuanto más dopaje tenga el emisor,...