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Universidad Politécnica de Chiapas

























1.- MARCO TEORICO
El SCR (Rectificador controlado de silicio) es un dispositivo semiconductor de 4 capas quefunciona como un conmutador casi ideal. El símbolo y estructura del SCR se muestran en la figura. Analizando los diagramas: A = ánodo, G = compuerta o Gate y C = K = cátodo
Funcionamiento básico delSCR
El siguiente gráfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su funcionamiento. Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen doscorrientes: IC2 = IB1. IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa máscorriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1, y Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.




2.- OBJETIVOS
Relación de un montaje depráctico con un rectificador controlado de silicio (SCR).
Disparo mediante corriente por puerta del SCR.
Variación de controlada del ángulo de disparo.
Evaluación de las formas de onda.3.- DESARROLLO
Materiales
1.- 1 potenciómetro de 338.2k
2.- 5 diodo ln4004
3.- 1 SCR Tic 106
4.- 1 capacitor de 0.068mf y de 0.33mf
5.- 3 resistencias de 50 h, 27 k, 151.5k
6.- alimentaciónde 120v con frecuencia de 60hz
7.- 1 transformador
Cálculos
Formulas
(R1 + R2) C1 2 ms tiempo mínimo
25 ms tiempo máximo
(R3)C2 5 ms

(R1+ 0) (0.068X10-6)= 2X10-3 (29.41 + R2) (0.068X10-6) =25X10-3
R1=2X10-3 = 29.41K R2= 25X10-3 = 338.237K0.068X10-6 0.033X10-6


R3 (0.033X10-6) = 5X10-3
R3 = 5X10-3 = 151.515K
0.0033X10-6

Desarrollo...