Resumen de fisica


INSTITUTO TECNOLOGICO DE ESTUDIOS SUPERIORES DE ZAMORA
INGENIERÍA ELÉCTRONICA
GRUPO: 3°B
MATERIA: FÍSICA DE SEMICONDUCTORES.

RESUMEN DE LA UNIDAD 1
UNION P-N

INTEGRANTES DEL EQUIPO:
HERRERA FAJARDO FERNANDO.
ARIAS MACIAS JAIRO.
ALONSO CONTRERAS LEOARDO.
LOPEZ BARRERA MIGUEL.

NOMBRE DEL PROF: JOSE JORGE RODRIGUEZ HERNANDEZ





FISICA DE SEMICONDUCTORES:
Lossemiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior a la de un conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor más utilizado es el silicio, que es el elemento más abundante en la naturaleza, después del oxígeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio.

El término intrínseco se aplica a cualquier material semiconductor que haya sidocuidadosamente refinado para reducir el número de impurezas a un nivel muy bajo.


Átomo donador:
En una red cristalina de silicio, si introducimos impurezas de modo controlado de elementos pentavalentes como el fósforo, arsénico o antimonio, el quinto electrón de la impureza se ioniza a muy bajas temperaturas proporcionando electrones libres en la red. Como consecuencia, el átomo de impureza seioniza con carga positiva, constituyendo una carga fija en la red.
Un semiconductor dopado de esta manera se dice que es un semiconductor tipo n, por tener portadores negativos como mayoritarios.

Átomo aceptor:
En una red cristalina de silicio, si introducimos impurezas de modo controlado de elementos trivalentes como el galio o indio, existirá un enlace deficitario en electrones que a muy bajastemperaturas es completado por electrones procedentes de otros enlaces, los cuales dejarán un "hueco". Dicho hueco es móvil y se comporta como una partícula real cargada positivamente. Como consecuencia, el átomo de impureza se ioniza con carga negativa (tiene un electrón de más), constituyendo una carga fija en la red.
Un semiconductor dopado de esta manera se dice que es un semiconductor tipo p,por tener portadores positivos (huecos) como mayoritarios.

Semiconductores P y N
Un Semiconductor tipo P: se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).

Cuando se añade el material dopante libera los electrones más débilmente vinculados de losátomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos.

Un Semiconductor tipo N: se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativos oelectrones).
Cuando se añade el material dopante, aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones.
El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo n considérese elcaso del silicio (Si). Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla periódica (ej. fósforo (P), arsénico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entoncesese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado.

Unión polarizada
Se entiende como polarización de una unión p-n a la aplicación externa de una
diferencia de potencial continua o con un determinado sentido a la unión. La
Polarización del diodo puede ser en directa o en inversa.
Unión p-n polarizada directamente
La unión p-n está polarizada directamente cuando a la...