Scr,gto,snubber

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SCR
* ¿Qué es?
El SCR (Rectificador controlado de silicio) es un dispositivo semiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador casi ideal. Es un dispositivosemiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. Está formado por tres terminales, llamados Ánodo, Cátodo y Puerta. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es unelemento unidireccional (sentido de la corriente es único), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.
El símbolo y estructura del SCR son:

A = ánodo, G = compuerta o Gate y C = K =cátodo
* Funcionamiento
El siguiente gráfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su funcionamiento.
Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), seproducen dos corrientes: IC2 = IB1.
IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este asu vez causa más corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1, y......
Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.
GTO
* ¿Qué es?
Untiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsación suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente iD excede IH.
* Funcionamiento

Mientras el GTO se encuentreapagado y no exista señal en el gate, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el ánodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloqueahasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinámico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga.
Cuando el GTO se apaga y con laaplicación de una voltaje en inversa, solo una pequeña corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarización en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del...
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