semicoductores

Páginas: 29 (7209 palabras) Publicado: 14 de agosto de 2014


Trabajo de laboratorio de:





PROFESOR:
Ing. Paul Jean Esquivias Barragán

AUTOR:
LAUREANO MOLINA, Richard Raúl




HUANCAYO – PERU
DICIEMBRE – 2013
DEDICATORIA


" A mi esposa, por que sin su ayuda, apoyo, colaboración y fortaleza, no hubiese sido posible el poder realizar este trabajo de laboratorio, ella con su amor me alentaron a seguir siempre adelante ".INTRODUCCIÓN

Con la disponibilidad de los dispositivos semiconductores se puede obtener muchas aplicaciones, por ello la realización del presente laboratorio está desarrollado en cuatro fases: (A) Reconocer los parámetros para la polarización de transistores BJT, JFET y MOSFET como son: corriente de colector, tensión colector-emisor, Corriente dedrenaje, y tensión drenaje-fuente así como la recta de carga y el punto Q de trabajo de los transistores; Una señal es un medio de transmisión de información, cuya adquisición permite obtener información sobre la fuente que la generó. En el caso de las bioseñales, Las señales del mundo real son a menudo muy pequeñas en magnitud, el acondicionamiento de señal puede mejorar la exactitud de datos.Los amplificadores alzan el nivel de la señal de entrada de mejorar el ADC, aumentando la resolución y la sensibilidad de la medida. Aunque muchos dispositivos de DAQ tienen amplificadores, muchos transductores, tales como termopares, requieren la amplificación adicional Describe un circuito electrónico fijado y duplicador de tención con una serie de elementos o componentes electrónicos, talescomo resistencias, condensadores, diodos y fuentes, conectados eléctricamente entre sí con el propósito de generar, transportar o modificar señales eléctricas.
(B) Analizar la utilidad del MOSFET para controlar la velocidad de motores de continua mediante la técnica de modulación por ancho de pulsos; Los circuitos de modulación por ancho de pulso o PWM son los más eficientes para regular las rpm deun motor eléctrico, ya que el motor no pierde potencia y no se desperdicia energía como lo haría con las resistencias, que generan calor. Funciona modificando el tiempo durante el cual hay tensión máxima en cada uno de los pulsos, que son siempre uniformes con respecto al tiempo. De manera que cuando el ancho de pulso tienda a cero, el motor se encontrara detenido, y cuando el ancho de pulso sealo suficientemente largo como para alcanzar el inicio del siguiente pulso, el motor girara a su máxima velocidad. (C) Desarrollo de la práctica; Se podrá realizar la manipulación de los instrumentos a utilizar como, multímetro digital, analógico, fuentes de alimentación estabilizada y variable, generadores de señal, osciloscopio y la utilización del protoboard para el ensamblado delos componentes electrónicos. (D) funcionamiento de un circuito; dar conocer aspectos fundamentales sobre conocimientos elementales referentes a la corriente eléctrica , el voltaje y Ohmios; descripción básica de los componentes básicos, utilización de los manuales del fabricante, terminado con las conclusiones y sugerencias.






















I. PRIMERAPARTE: Circuito BJT - JFET

1. TRANSISTOR BJT



1.1 Transistor de unión bipolar
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente enelectrónica analógica. También en algunas aplicaciones de electrónica digital como la tecnología TTL o BICMOS. Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal....
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