Sensor De Barrera

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE CIUDAD JUÁREZ

INGENIERIA EN SISTEMAS COMPUTACIONALES
MATERIA:
SISTEMAS PROGRAMABLES




TRABAJO:
“SENSOR DE BARRERA”


INTEGRANTES DEL EQUIPO:
GONZALES BLANCO IRIS MELISA
ARMENTA AROS LUIS FERNANDO
SALAZAR CASTRO JOSE JULIAN
DIAZ DE LEON GUILLEN MIGUEL ANGEL
HERNANDEZ HINOJOS JULIAN ADRIAN




INTRODUCCION
Un sensor de barrera forma parte de los sensoresópticos el cual actúa de una manera muy singular, consiste de dos elementos principalmente: el emisor que es el dispositivo que emite un haz de luz y el receptor el cual recibe ese haz, cuando el haz de luz en obstruido por un objeto este sensor manda una señal para realizar una tarea ya sea cerrar una ventana, la cortina de la cochera, prender un foco etc., a continuación se presenta una práctica dondese simula un sensor de barrera y se definen los componentes utilizados y su respectiva información.

Material utilizado para el sensor de barrera:
1 transistor 2N2222
1 resistencia de 1 kΩ
1 resistencia de 2 kΩ
1 resistencia de 15 kΩ
1 resistencia de 220 Ω
1 pila de 9 volts
Un protoboard
Cables de cobre

COMPONENTES DE LA PRÁCTICA SENSOR DE BARRERA

Transistor 2N2222.
Es un transistorde silicio y baja potencia, diseñado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación. Uno de sus principales fabricantes es la Philips Semiconductors. Identificado también como PN2222 por otros fabricantes.
Descripción
Es un transistor de silicio de mediana potencia con una polaridad npn, construido mediante el proceso de base epitaxial y designado para aplicaciones de amplificación lineal yconmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias y trabajar a frecuencias medianamente altas. Es fabricado en diferentes formatos, los más comunes son los TO-92,TO-18,SOT-23, y SOT-223.
Principales características

Voltaje colector emisor en corte 60V (Vceo)
Corriente de colector constante 800mA (Ic)
Potencia total disipada 500mW(Pd)
Ganancia o hfe 35 mínima
Frecuencia detrabajo 250 Mhz (Ft)
Encapsulado de metal TO-18
Estructura NPN
Su complementario PNP es el Transistor 2N2907
En la figura se muestran sus dimensiones y distribución de pines. Aunque como se mencionó anteriormente se pueden encontrar con diferentes encapsulados.

Aplicaciones
Transmisores
Amplificadores de HF y VHF
Radiofrecuencia
Aplicaciones de conmutación
RESISTENCIAS 
Resistencia eléctrica estoda oposición que encuentra la corriente a su paso por un circuito eléctrico cerrado, atenuando o frenando el libre flujo de circulación de las cargas eléctricas o electrones. Cualquier dispositivo o consumidor conectado a un circuito eléctrico representa en sí una carga, resistencia u obstáculo para la circulación de la corriente eléctrica.
CARACTERÍSTICAS DE LAS RESISTENCIAS
Todas lasresistencias tienen una tolerancia, esto es el margen de valores que rodean el valor nominal y en el que se encuentra el valor real de la resistencia. Su valor viene determinado por un porcentaje que va desde 0.001% hasta 20% el más utilizada es el de 10% . Esta tolerancia viene marcada por un código de colores.
Las resistencias tienen un coeficiente de temperatura, este valor dependerá de la temperatura quealcance la resistencia cuando empiece a circular el flujo de electrones.
Tiene también un coeficiente de tensión que limitará el paso de la corriente eléctrica entre sus dos extremos que será la variación relativa de cambio de tensión al que se someta
Un factor también importante es el ruido que se debe a los cambios repentinos de aumento y disminución de corrientes continuos. La capacidad de laresistencia es la capacidad de mantener en el transcurso del tiempo el valor nominal de la resistencia será sometido a los cambios ambientales, largos periodos del funciona miento que no deberá afectarla para 
Los materiales empleados para la fabricación de las resistencias son muy variados pero los más comunes son aleaciones de cobre, níquel y zinc en diversas proporciones de cada uno lo que...