sociocritica

República Bolivariana de Venezuela.
Ministerio del poder popular para la educación universitaria.
I.U.T.VAL
Asignatura: electrónica.






Análisis.







Profesor: Cesar Peraza Autor: Carlos Flores.
C.I: 21.653.845
Valencia abril de 2014 Sección01CM.
TEORIA DE SEMICONDUCTORES.
Semiconductor: Son materiales que tienen una conductividad que varia con la temperatura, pudiendo comportarse como conductores o como aislantes, entre los mas comunes se encuentran el germanio (Ge) y el silicio (Si).
Todos los semiconductores se caracterizan por tener cuatro electrones libres en la ultima capa de su estructura atómica (electrones de valencia).Banda de energía o conductividad eléctrica el cristal: Existen tres zonas: a) electrones libres (banda de conductividad); b) electrones de valencia (banda de valencia); c) sin electrones (banda prohibida).
El nivel energético de cada electrón puede estar situado en la banda de valencia o en la banda de conductividad. En la banda de valencia los electrones no pueden moverse, mientras que en labanda de conductividad, los electrones se mueven libremente pudiendo formar parte de una corriente eléctrica. En la banda prohibida no puede haber electrones.Para que la conducción de electricidad sea posible es necesario que haya electrones en la capa de conducción.
En los semiconductores el salto de electrones es posible debido a que la banda prohibida es del orden 1 eV (electrovoltios), por loque suministrando energía pueden conducir electricidad, y además puede regularse su conductividad disminuyendo la cantidad de energía aplicada.
Tipos de semiconductores:
Intrínsecos: son los que tienen igual número de huecos e igual número de electrones libres por lo que a temperatura ambiente se comporta como aislante.
Ni = n = p
Donde ni es la concentración intrínseca del semiconductor, nson las cargas negativas (electrones libres), y p son las cargas positivas (huecos).
Si se somete el cristal a una diferencia de tensión, se producen dos corrientes eléctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conducción, y por otro lado, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tenderán a saltar a los huecos próximos,originando una corriente de huecos en la dirección contraria al campo eléctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior al de la banda de conducción.
Extrínsecos: para aumentar la conductividad de un semiconductor intrínseco se somete a un proceso de dopado, el cual consiste en agregar de forma controlado átomos para cambiar sus características eléctricas y así convertirlo en extrínseco, ydependiendo del tipo de átomos añadidos podemos tener de tipo P y de tipo N
Tipo P: es al que en el proceso de dopado se le han añadido átomos trivalentes (3 electrones de valencia) lo cual genera un hueco en el elemento a temperatura ambiente, ya que tres de sus electrones de valencia forman enlaces covalentes con los átomos vecinos del semiconductor, y queda un vacio en uno de los enlacescovalentes.
Tipo N: se le han añadido átomos pentavalentes (5 electrones de valencia) estos añaden un electrón libre al semiconductor a temperatura ambiente ya que los cuatros electrones restantes formaron enlaces covalentes con los átomos del semiconductor. Ellos introducen un nivel donador entre la banda de valencia y la de conductividad.
Corriente de arrastre: Se origina por el movimiento de lascargas cuando se aplica un campo eléctrico al material, esto aumenta la energía térmica, la cual fomenta el movimiento de las cargas. Y los portadores de cargas se ven afectados de la siguiente forma:
Electrones libres: la fuerza que el campo eléctrico ejerce sobre los electrones provoca el movimiento de estos, en sentido opuesto al campo eléctrico aplicado. De este modo se origina una corriente...