TRABAJO PR CTICO N 9

TRABAJO PRÁCTICO N° 9- EMISOR COMÚN

TRABAJO PRÁCTICO N° 9
Transistor Bipolar: Configuraciones – Emisor Común
b) Emisor Común - Inversor
Es la configuración usada con mayor frecuencia, como se muestra en la figura
para los transistores PNP y NPN. Se denomina configuración de emisor común
porque el emisor es común tanto a las terminales de entrada como a las de
salida (terminales de la base y delcolector).

iE
B
E

i0
B

vi

Zi

E

C

C
Z0=r0=唴 v0

_

E

Es la configuración más empleada por sus buenas prestaciones de ganancia e
impedancias de entrada y salida
Como dijimos anteriormente para el transistor NPN, el mismo tiene dos
diodos uno entre Base y Emisor por donde circula la corriente Ibe y otro entre
Base y Colector por donde circula la corriente Icb las constantes βF y βR sonespecíficas de cada transistor y se denominan ganancia de corriente para EC
en funcionamiento directo e inverso respectivamente.

Segundo Séptima

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Aplicando Ley de Kirchoff al transistor obtenemos:

IE = IB + IC
El transistor tiene un comportamiento no lineal. Existen varios modelos para
describir la relación entre las tensiones y corrientes que circulanpor el.
El más usado es el de Everst-Mole:

IC = β.IB + (1 + Β)ICO
Normalmente ICO es despreciable con lo que la ecuación se simplifica:

IC = β. IB
Como β siempre es mayor que 10 se deduce que IB es despreciable frente a IC
por lo que:

IE ~ IC
a) Región activa
En este modo de funcionamiento ( VBE > 0; VBC < 0 ) el diodo base - emisor
DBE en directa y DBC en inversa. La corriente IBC seráprácticamente nula,
por lo que el diodo de colector puede aproximarse por un circuito abierto
y, tal como muestra el circuito equivalente, podrá escribirse:

IC = βF iBC

Segundo Séptima

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La característica de entrada es
independiente de vCE.
La característica de salida son rectas horizontales (para un valor de IB , la IC es
independiente de la tensión desalida). La IC = βF IB. El parámetro βF tiene el
significado físico de "ganancia" de corriente del transistor bipolar en la
configuración de EC.

b) Región de corte
Cuando el BJT opera en modo de corte, las corrientes IBE e IBC son casi nulas,
también lo será la IC. En las características de salida, la región de corte viene
dada por el semieje positivo de abscisas ( IC =0,) y la unión BC polarizadainversamente. La figura muestra el modelo aproximado del transistor bipolar
en corte.

Segundo Séptima

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Para IB = 0
IE = IC + IB  IB = 0 
IC =-IE ≈ ICE0  IC ≈ 10 IC0

Para llevar al transistor
al corte no sólo IB=0,
sino que VBE≈0

b) Región de saturación
Cuando el transistor opera en modo de saturación, las tensiones VBE y VBC son
ambas positivas.El modelo del transistor, entonces, no puede simplificarse
ya que los dos diodos conducen. Este modelo establece que la corriente de
colector viene dada por:
I C = βFIBE

– βRIBC = IS (e - 1 ) VBE/VT - Is/αR (e - 1 )VBC / VT

Nótese que si αR fuera la unidad, la ecuación anterior indicaría que la corriente de
colector sería nula para VBC igual a VBE, es decir, para una tensión VCE nula.
Ladisminución de I C tendrá una dependencia exponencial respecto a

VCE

(VCE = VCB+ VBE).

Segundo Séptima

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d) Región inversa
En la región inversa el diodo de emisor está en corte y el de colector
conduce. El transistor se comporta como en modo activo, pero
intercambiando los terminales de emisor y colector, y sustituyendo βF por β R
Al ser β R muy inferiora βF no suele resultar interesante trabajar en esta
región
En las curvas se nota un ligero aumento de I C con V CE en la región activa.
Este fenómeno se denomina efecto Early e implica un aumento del
parámetro β F con la tensión VCE (en la región activa βF viene dado por i C /I B).
Para modelar este efecto se suelen aproximar
las curvas de salida en la región activa por
segmentos de rectas...