trabajo practico electronica industrial


Trabajo Practico Nº 1

Materia: Electrónica Industrial

Tema: Materiales Semiconductores

Prof: Barkázs Sergio

Alumno: Cáceres Federico

Año: 7mo Div: 4ta



Ciclo Lectivo: 2014





Materiales Semiconductores

Cualidades y características eléctricas.
Método de dopaje.
El diodo.
Polarización directa y polarización inversa.
Diodosespeciales.
El Diodo
Es un componente que permite la circulación de corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario. Que quiere decir que permite el paso de la corriente en una única dirección.


Polarización
Directa: El ánodo se conecta al positivo de la batería y el cátodo al negativo.
Característica: El diodo conduce una caída de tensiónde 0,6 a 0,7 V. El valor de la resistencia interna sería muy bajo. Se comporta un interruptor cerrado.



Polarización
Inversa:el ánodo se conecta al negativo y el cátodo al positivo de la batería.
Característica: El diodo no conduce y toda la tensión de la pila cae sobre él. Puede existir una corriente de fuga del orden de µA. El valor de la resistencia interna sería muy alto. Secomporta como un interruptor abierto.

Condición del diodo
Normal: Cuando marca un valor en sentido directo y en sentido inverso no marca ningún valor.
Abierto: Cuando no marca ningún valor en ambos sentidos.
Cruzado: Cuando marca cero en ambos sentidos.
Alterado: Cuando marca en ambos sentidos un valor.

Método de Dopaje
Se denomina dopaje al proceso de agregar impurezas en su red cristalinaaun semiconductor extremadamente puro,con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas.A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado, que actúa más como un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado. La conductividad eléctrica se puede variar por factores de miles o millones.

Los materiales elegidos comodopantes adecuados dependen de las propiedades atómicas de tanto el dopante y el material a ser dopado. En general, los dopantes que producen los cambios controlados deseados se clasifican como aceptores de electrones o donantes. Los semiconductores dopados con impurezas donantes se denominan de tipo n, mientras que los dopado con impurezas aceptoras son conocidos como de tipo p. El n y ladesignación de tipo p indican que los portadores de carga actúa como portador mayoritario del material. El portador opuesto se llama el portador minoritario, que existe debido a la excitación térmica a una concentración mucho más baja en comparación con el portador mayoritario.
Por ejemplo, el semiconductor de silicio puro tiene cuatro electrones de valencia que se unen cada átomo de silicio a sus vecinos.En el silicio, los agentes de dopado más comunes son el grupo III y los elementos del grupo V. Los elementos del Grupo III contienen todos los tres electrones de valencia, haciendo que funcionan como aceptores cuando se utiliza para dopar silicio. Cuando un átomo aceptor sustituye a un átomo de silicio en el cristal, se crea un estado vacío, que puede moverse por la red y funciona como un portadorde carga. Los Elementos del Grupo V tienen cinco electrones de valencia, lo que les permite actuar como un donante; la substitución de estos átomos de silicio crea un electrón libre adicional. Por lo tanto, un cristal de silicio dopado con boro crea un semiconductor de tipo p dopado con uno mientras que los resultados de fósforo en un material de tipo n.

MaterialTipo N
Se llama material tipoN al que posee átomos de impurezas que permiten la aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos. Los átomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el Arsénico y el Fósforo. De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad eléctrica, ya que el átomo introducido al semiconductor es neutro, pero posee un electrón no...